【專利類型】外觀設計【申請人】上海巴黎蒂日用化學品有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】201108上海市銀都路3701號【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】閔行區【申請號】CN200630035289.7【申請日】200
【摘要】 一種單粒子束刻蝕薄膜的單納米孔制作方法，屬于納米技術領域。本發明將固體絕緣薄膜置于帶有粒子檢測裝置的一個可水平旋轉的載體上，用單粒子束刻蝕該薄膜，單粒子束入射角大于等于9.6°、小于等于90°，并且單粒子束在該薄膜底部、頂部、或二者之間與薄膜旋轉軸交叉，待單粒子束完全穿透該薄膜后，固體絕緣薄膜底部的粒子監測器反饋使該薄膜被穿透處與單粒子束相對移動1，再刻蝕，如此反復，直至固體絕緣薄膜旋轉一周，獲得圓臺形、雙倒圓臺形或圓筒形的單納米孔。本發明方法制備的單納米孔，孔徑在1個nm級可控，孔深在從級到μm級可控，適于分辨單鏈DNA或RNA分子的堿基組分和檢測雙鏈DNA分子的大小，為核酸測序提供了關鍵器件。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610147232.5 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1986383A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】B81B1/00; B81C5/00; G01N27/28; G01N27/416; B81C99/00 【發明人】王志民 【主權項內容】1、一種單粒子束刻蝕薄膜的單納米孔制作方法，其特征在于，所述方法具 體為：將固體絕緣薄膜置于帶有粒子檢測裝置的一個可水平旋轉的載體上，用單 粒子束刻蝕固體絕緣薄膜，單粒子束入射角大于等于9.6°小于等于90°，并且 單粒子束在該薄膜底部、頂部、或二者之間與固體絕緣薄膜旋轉軸交叉，待單粒 子束完全穿透該薄膜后，固體絕緣薄膜底部的粒子監測器反饋使載體旋轉一次， 使固體絕緣薄膜被穿透處與單粒子束相對移動1，再刻蝕，如此反復，直至固 體絕緣薄膜旋轉一周，獲得單納米孔。 www.macrodatas.cn 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數】1.0 【被引證次數】2 【他引次數】1.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】1.0 【家族被引證次數】2
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