【摘要】1.本外觀設計色織布為平面產品，故省略左視圖、右視圖、俯視圖、仰視圖。 2.后視圖無設計要點，故省略后視圖。 3.本外觀設計單元圖案為四方連續，無限定邊界。 4.請求保護的外觀設計包含有色彩。。來自：馬 克 團 隊【專利類型】外觀設
【摘要】 馬-克-數據 本發明涉及一種電子束曝光中套刻工藝的實現 方法，屬于微電子領域。其特征在于將套刻標志放置于曝光圖 形的中央，而后利用電鏡放大倍數的縮放來實現套刻。傳統的 套刻技術是將對準標記和圖形結構的位置獨立開來，但是這需 要較為昂貴的定位工件臺來支持。針對現在實驗電子束曝光的 設備(主要是掃描電子顯微鏡外配圖形發生器)。本發明提出了 一種不需要定位工件臺來實現套刻的方法，其套準精度小于μ m，可以滿足亞微米及納米器件制備的工藝要求。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610030768.9 【申請日】2006-09-01 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1912747A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】G03F7/20; G03F9/00 【發明人】宋志棠; 呂士龍; 劉波; 封松林 【主權項內容】1、一種電子束曝光中套刻工藝的實現方法，其特征在于實現方法的步 驟是： (a)器件版圖的設計，設計出需要曝光的圖形結構，使不同曝光順序 的圖形結構放置于不同的曝光層中；版圖設計的最大區域取決于掃描電鏡的 最小放大倍數下所能觀察到的區域； (b)對準標記的設計，對準標記放置于版圖的中心區域，套刻精度小 于1μm時，標記長度為30-50μm； (c)對準標記，先在電鏡低的放大倍數下找到標記，在標記的中心區 域將電子束焦聚調整好，然后將標記的中心與圖形發生器圖像掃描中心對 準，逐漸調整放大倍數，逐漸調整中心對準程度；兩個中心對準程度愈高則 套刻的精度愈高； (d)調整放大倍數，在步驟(c)標準對準后將電鏡的放大倍數調整到 曝光時的狀態； (e)確定曝光結構，選擇需要曝光的圖形所在的圖層，設置好相應得 曝光參數、進行曝光。 數據由馬 克 團 隊整理 【當前權利人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區長寧路865號 【統一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數】6 【被自引次數】2.0 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】6
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