【摘要】本實用新型涉及建筑材料領域的一種合成墻磚，磚體1為長方體或正方體或異方體，磚體1的端頭和或側面設置有半方型通孔2，磚體1上設置有方形通孔3，磚體1上還設置有圓形通孔4，圓形通孔4的頂端為高出磚體1頂面的突臺5，圓形通孔4底端處的磚體
【摘要】 本發明涉及一種與CMOS工藝兼容的嵌入懸浮 螺管結構電感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表 面電鍍出電感或互感的上導線，再利用各向異性腐蝕形成“V” 字形或倒梯形的溝槽，在溝槽里面制作電感或互感的下導線， 并使下導線與上導線在硅片表面處交疊，形成良好的電連接， 最后采用XeF2氣體各向同性干 法腐蝕釋放出整個線圈結構。電感或互感的線圈由兩邊的二氧 化硅層支撐。本發明采用常溫工藝在普通硅片上實現一種高Q 值(品質因數)的螺管形電感或高增益的互感，工藝步驟簡明、 成品率高，整個器件工藝與CMOS工藝相兼容。且器件懸浮的 嵌入于硅片內部，有利于封裝和后序工藝加工。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610029276.8 【申請日】2006-07-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1889233A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100405543C 【授權公告日】2008-07-23 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/02; H01L21/822; H01L21/00; H01L21/70 【發明人】李昕欣; 顧磊 【主權項內容】1、一種與CMOS工藝兼容的嵌入式懸浮螺管結構電感或互感的制作方 法，其特征在于首先在硅片的表面電鍍出電感或互感的上導線，再利用各向 異性腐蝕形成“V”字形或倒梯形的溝槽，在溝槽里面制作電感或互感的下 導線。并使下導線與上導線在硅片表面處交疊，形成良好的電連接，最后采 用XeF2氣體各向同性干法腐蝕釋放出整個線圈結構。 馬-克-數據 【當前權利人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區長寧路865號 【統一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】5
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