【專利類型】外觀設計【申請人】上海陶瓷博覽中心有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】200001上海市黃浦區南京東路558號五樓【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】黃浦區【申請號】CN200630042197.1【申請日】
【摘要】 本發明公開了一種置于碲鎘汞紅外焦平面探測 器芯片內部的微型濾光片，所述的探測器芯片由襯底、襯底上 依次置有的緩沖層、響應紅外目標輻射的光電二極管列陣組 成。所述的微型濾光片是通過分子束外延原位生長在緩沖層和 光電二極管列陣之間。本發明的微型濾光片的優點是：具有高 均勻性、高可靠性和無信號損失的特點；濾光波段是通過嚴格 控制作為原位濾光層的Hg1－ xCdxTe的組分來 實現的，從而具很高的控制精度；這種集成在紅外焦平面探測 器芯片內部的微型濾光片無需任何外光路部件，使用方便，且 非常可靠和穩定。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海技術物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】虹口區 【申請號】CN200610117105.0 【申請日】2006-10-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1936626A 【公開公告日】2007-03-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100443928C 【授權公告日】2008-12-17 【授權公告年份】2008.0 【發明人】葉振華; 何力; 胡曉寧; 周文洪; 吳俊; 巫艷; 丁瑞軍 【主權項內容】1.一種置于碲鎘汞紅外焦平面探測器芯片內部的微型濾光片，所述的碲鎘 汞紅外焦平面探測器芯片由襯底(1)、襯底上依次置有的緩沖層(2)、響應紅 外目標輻射的N型層(401)和P型層(402)構成的光電二極管(4)列陣組成； 其特征在于： 所述的微型濾光片是通過分子束外延原位生長在緩沖層(2)和響應紅外目 標輻射的光電二極管(4)列陣之間的摻雜Hg1-xCdxTe外延層，其中x為組分， 微型濾光片的濾光波段與組分、摻雜濃度有關；微型濾光片的濾光波段由器件 的響應波段確定；微型濾光片的厚度必須遠遠大于該層材料吸收系數的倒數， 即1/α，α為吸收系數。 【當前權利人】中國科學院上海技術物理研究所 【當前專利權人地址】上海市玉田路500號 【統一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數】1 【被自引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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