【摘要】1.請求保護的外觀設計包含色彩。 2.本外觀設計產品為紡織物，平面產品，省略其他視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】上海久楓服飾有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】201103上海市閔行區吳中路1345號【申請人地區】中國【申請
【摘要】 本發明公開了提高半導體芯片良品率的方法，包括下列步驟：在晶圓表面涂覆一層負光阻；將晶圓識別碼區域與光罩對準；用少于非晶圓識別碼區域的曝光能量，在晶圓識別碼區域進行第一次曝光；相對第一次曝光位置進行偏移，用少于非晶圓識別碼區域的曝光能量，在晶圓識別碼區域進行第二次曝光；進行顯影處理，在晶圓識別碼區域與非晶圓識別碼區域相鄰接邊緣將曝光的部分留下，未曝光的部分顯影，制作完整的焊接凸點。所述的用少于非晶圓識別碼區域的曝光能量在晶圓識別碼區域進行雙重曝光，避免了與晶圓識別碼區域相接的非晶圓識別碼區域中的幾塊芯片邊緣產生不必要的曝光而形成負光阻殘余，使焊接凸點位不會消失，從而提高了芯片的良品率。 【專利類型】發明申請 【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】201203上海市浦東新區張江路18號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】浦東新區 【申請號】CN200610027582.8 【申請日】2006-06-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101089730A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100576073C 【授權公告日】2009-12-30 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G03F7/00; H01L21/00 【發明人】王津洲; 李德君; 靳永剛 【主權項內容】1.一種提高半導體芯片良品率的方法，包括下列步驟： 在晶圓表面涂覆一層負光阻； 將晶圓識別碼區域與光罩對準； 用少于非晶圓識別碼區域的曝光能量，在晶圓識別碼區域進行第一次曝 光； 相對第一次曝光位置進行偏移，用少于非晶圓識別碼區域的曝光能量，在 晶圓識別碼區域進行第二次曝光； 進行顯影處理，在晶圓識別碼區域與非晶圓識別碼區域相鄰接邊緣將曝光 的部分留下，未曝光的部分顯影，制作完整的焊接凸點。 【當前權利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司; 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 【當前專利權人地址】上海市浦東新區張江路18號; 北京市大興區經濟技術開發區文昌大道18號 【專利權人類型】有限責任公司(外國法人獨資) 【統一社會信用代碼】91310115710939629R 【引證次數】1.0 【被引證次數】4 【他引次數】1.0 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】4
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