【摘要】1.除文字外，俯視圖與仰視圖對稱，省略俯視圖。 2.除文字外，右視圖與左視圖對稱，省略右視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】上海家化聯合股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】200082上海市保定路527號【申請人地區】中國【
【摘要】 本發明涉及提高DRAM存儲單元電容器面積的方法，該方法包括：在硅襯底上形成DRAM的字線；在硅襯底上形成淺溝隔離；制作位線；電介質覆蓋，并形成存儲電容的接觸窗；填充材料到接觸窗；交替形成兩種電介質層；第一次刻蝕形成電容器圖案；第二次刻蝕形成兩種電介質層的不同刻蝕度；進行電容器的制作。由于該方法采用兩種電介質材料和兩步刻蝕方法，使兩種電介質材料的刻蝕速率不同，因此，得到不規則的表面，由此增加其存儲單元電容的面積，從而提高存儲單元電容值。 【專利類型】發明申請 【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】201203上海市浦東新區張江路18號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】浦東新區 【申請號】CN200610027449.2 【申請日】2006-06-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101086978A 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/8242; H01L21/8222; H01L21/70 【發明人】吳金剛; 三重野文健 【主權項內容】1.提高DRAM存儲單元電容器面積的方法，包括： 在硅襯底上形成DRAM的字線； 在硅襯底上形成淺溝隔離； 制作位線； 電介質覆蓋，并形成存儲電容的接觸窗； 填充材料到接觸窗； 交替形成兩種電介質層； 第一次刻蝕形成電容器圖案； 第二次刻蝕形成兩種電介質層的不同刻蝕度； 進行電容器的后續制程。 【當前權利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【當前專利權人地址】上海市浦東新區張江路18號 【專利權人類型】有限責任公司(外國法人獨資) 【統一社會信用代碼】91310115710939629R 【被引證次數】2 【被自引次數】2.0 【家族被引證次數】2
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