【摘要】一種計算機安全管理領域的基于可擴展的標記語言的統一策略管理系統。本發明包括：策略服務器、策略設計器以及策略共享庫。所述的策略設計器通過可視化的策略定義界面生成易于管理的通用安全策略；所述的策略服務器根據統一策略中的設備類型信息字段，
【摘要】 本發明是一種制備高蒸汽壓組分的III-V族半導體化合物薄膜的射頻濺射方法。為使濺射膜有較好化學計量比，本發明采用合成III-V族化合物塊錠或碎料和相應的高蒸汽壓五族元素材料一起作為濺射靶并置于濺射室下方。本發明方法可在不同的襯底溫度下，得到單晶，多晶或非晶的III-V族半導體化合物薄膜。 【專利類型】發明授權 【申請人】中國科學院上海冶金研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】上海市長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN85100504.7 【申請日】1985-04-01 【申請年份】1985 【公開公告號】CN1012741B 【公開公告日】1991-06-05 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1012741B 【授權公告日】1991-06-05 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】C23C14/34; H01L21/203; H01L21/02 【發明人】黎錫強 【主權項內容】1.一種制備有高蒸氣壓組分的InP半導體薄膜的射頻濺射方法， 其特征在于用InP塊錠或碎料和少量紅磷一起作為濺射靶置于濺射 室下方，襯底置于濺射室上方，在1-5×10-2乇氬氣壓強及230 -350℃襯底溫度下進行濺射沉積。 【當前權利人】中國科學院上海冶金研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧路865號
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