【摘要】1.請求保護的外觀設計包含色彩。 2.本外觀設計產品為平面產品，省略其他視圖。。來源：百度搜索馬克數據網【專利類型】外觀設計【申請人】上海力國針織有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】201101上海市閔行區聯寶路303號【申請人
【摘要】 本發明是一種提高晶體管性能的新方法，能廣泛 應用于晶體管、集成電路的生產。本發明要點是在室 溫和真空中用Ar+束輻照管芯背面來提高或調節hFE 和fT，它既完全克服了現有技術存在的缺點和問題， 又能與常規生產工藝兼容，不僅能方便地調節或大幅 度提高hFE和fT，又能保持晶體管的縱橫結構參數和 反向擊穿特性不變。同時，易于避免雜質玷污，有利 于產品穩定性的提高。 來源：馬 克 團 隊 【專利類型】發明申請 【申請人】華南理工大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】510641廣東省廣州市天河區五山 【申請人地區】中國 【申請人城市】廣州市 【申請人區縣】天河區 【申請號】CN91100365.7 【申請日】1991-01-16 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1053322A 【公開公告日】1991-07-24 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1021094C 【授權公告日】1993-06-02 【授權公告年份】1993.0 【IPC分類號】H01L21/02; H01L21/322; H01L21/70; H01L21/26 【發明人】曾紹鴻; 李觀啟; 黃美淺; 曾勇彪 【主權項內容】一種提高晶體管性能的方法，其特征在于：把晶體管管芯片，分別用甲苯、丙酮、無水乙醇等有機溶劑經超聲波依次清洗并烘干，然后把芯片背面朝上放置入氬離子束鍍膜刻蝕機的A+r離子束輻照區內工作臺上，襯底為室溫、關閉裝片口密封閘門，把機內工作室抽真空至(4～6.65)×10-3Pa，開啟充A+r氣的電磁閥，充入高純度氬氣，使真空度為(2.7～4)×10-2Pa，用能量為300～950eV、束流為0.10～0.95mAcm-2的A+r束輻照10～90分鐘。。（來 自 馬 克 數 據 網） 【當前權利人】華南理工大學 【當前專利權人地址】廣東省廣州市天河區五山 【統一社會信用代碼】12100000455414429R 【被引證次數】8.0 【被自引次數】3.0 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】9.0
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