【摘要】本發明屬于一種采用氣相外延與液相外延的混 合外延方法,在砷化鎵襯底上異質外延磷化銦和晶格 匹配于磷化銦的III-V族多元化合物半導體材料,通 過采用準平衡回熔技術,在砷化鎵襯底上生長出晶格 匹配的磷化銦、銦鎵砷和銦鎵砷磷III-V族
【摘要】 省略其它視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】郭兆東 【申請人類型】個人 【申請人地址】中國臺灣省 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN91301271.8 【申請日】1991-05-27 【申請年份】1991 【公開公告號】CN3011421S 【公開公告日】1991-11-13 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN3011421S 【授權公告日】1991-11-13 【授權公告年份】1991.0 【發明人】郭兆東 【主權項內容】無 【當前權利人】郭兆東 【當前專利權人地址】中國臺灣省
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