【摘要】來源：百度馬 克 數據網1.本外觀設計的三個嵌入鉆是成套使用的。 2.左視圖與右視圖對稱，故省略右視圖。 A-A剖視圖【專利類型】外觀設計【申請人】水晶山有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】香港九龍亞士厘道29-43號601室【
【摘要】 本發明屬于一種采用氣相外延與液相外延的混 合外延方法，在砷化鎵襯底上異質外延磷化銦和晶格 匹配于磷化銦的III-V族多元化合物半導體材料，通 過采用準平衡回熔技術，在砷化鎵襯底上生長出晶格 匹配的磷化銦、銦鎵砷和銦鎵砷磷III-V族多元化合 物半導體，使這類材料的成本大為降低并具有性能 好、滿足器件實用要求的優點，尤其適用于光纖通信 中的半導體激光器、光探測器以及微電子學等領域中 的器件制造。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院西安光學精密機械研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】710068陜西省西安市友誼西路234號 【申請人地區】中國 【申請人城市】西安市 【申請人區縣】碑林區 【申請號】CN91100620.6 【申請日】1991-02-04 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1053146A 【公開公告日】1991-07-17 【公開公告年份】1991 【IPC分類號】H01L21/205; H01L21/208; C30B19/00; C30B25/00; H01L21/02 【發明人】李晉閩; 郭里輝; 侯洵 【主權項內容】1、在砷化鎵(GaAs)襯底上異質外延生長磷化銦(InP)和晶格匹配于InP的Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體材料的方法，本發明的特征是：采用氣相外延與液相外延的混合外延生長技術，先用氣相外延在GaAs襯底上生長InP緩沖層Ⅰ，然后在該緩沖層上再液相外延生長InP緩沖層Ⅱ和晶格匹配于InP的Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體材料。。（來 自 馬 克 數 據 網） 【當前權利人】中國科學院西安光學精密機械研究所 【當前專利權人地址】陜西省西安市友誼西路234號 【統一社會信用代碼】12100000437201489M 【被引證次數】1.0 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】1.0
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