【摘要】本外觀設計的設計要點在于主視圖、后視圖；請求保護的外觀設計包含色彩。【專利類型】外觀設計【申請人】衣戀時裝(上海)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200241上海市閔行區(qū)龍吳路5888號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市
【摘要】 本實用新型涉及半導體生長用的雙層坩堝，它由 內、外坩堝組成，內坩堝環(huán)狀壁為倒置的截圓錐筒狀、 截棱錐筒狀其中的一種，內坩堝上口直徑(指拉晶尚 未進行時液面處的內坩堝直徑)為外坩堝直徑的倍。其下口直徑為外坩堝直徑的 倍，在 內坩堝的接近雙層坩堝底處的環(huán)狀壁上至少有一個 小孔，優(yōu)點是能拉制出摻雜劑軸向分布均勻的的半導 體晶體，且結構簡單，易于制造，成本低，對半導體原 料形狀無特殊要求，便于拉晶時觀察和操作。 【專利類型】實用新型 【申請人】北京有色金屬研究總院 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100088北京市新街口外大街2號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】西城區(qū) 【申請?zhí)枴緾N91204133.1 【申請日】1991-03-21 【申請年份】1991 【公開公告號】CN2087322U 【公開公告日】1991-10-23 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN2087322U 【授權公告日】1991-10-23 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】F27B14/10; F27B14/00 【發(fā)明人】王體虎; 秦福; 李英春 【主權項內容】1、一種用于制備半導體單晶用的雙層坩堝，由內坩堝和外坩堝所組成，內坩堝安放在外坩堝內，外坩堝的環(huán)狀壁為直筒狀，本實用新型的特征是，內坩堝的環(huán)狀壁為上口大，下口小的倒置的截圓錐筒狀、倒置的截棱錐筒狀其中的一種，內坩堝上口直徑(指拉晶尚未開始時的液面處內坩堝的直徑)為外坩堝直徑的B· 倍(K為摻雜劑分配系數(shù))，內坩堝下口直徑為外坩堝直徑的B· 倍，其中A=1.1-1/ ，B=0.80～1.0，在內坩堝環(huán)狀壁上接近雙層坩堝的底處至少有一個小孔。 【當前權利人】北京有色金屬研究總院 【當前專利權人地址】北京市新街口外大街2號 【引證次數(shù)】3.0 【被引證次數(shù)】4.0 【他引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】4.0
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