【摘要】一種非揮發(fā)性記憶體的制作方法，包括先于基底中形成二開口。接著，于二開口之間的基底上形成堆疊閘極結(jié)構(gòu)，堆疊閘極結(jié)構(gòu)包括第一介電層、電荷儲存層、第二介電層與第一導(dǎo)體層。之后，于二開口底部及側(cè)壁形成襯層，襯層的頂部表面低于基底的頂部表面。
【摘要】 本實用新型是有關(guān)于一種踩壓式發(fā)電裝置，包括一可供嵌置于路面下的外殼、設(shè)置于外殼內(nèi)的一撓性囊體及一氣壓馬達(dá)、一能受所述氣壓馬達(dá)驅(qū)動以產(chǎn)生電力的發(fā)電機。撓性囊體部份外露凸出路面以供踩壓，且撓性囊體受踩壓時則輸出一風(fēng)力到氣壓馬達(dá)并驅(qū)動發(fā)電機發(fā)電。把多數(shù)所述踩壓式發(fā)電裝置設(shè)置于往來人潮較多的路段時，則可被頻繁踩壓以驅(qū)動發(fā)電機產(chǎn)生電力。 【專利類型】實用新型 【申請人】華岡科技有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣臺北縣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620122500.3 【申請日】2006-08-01 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200940546Y 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN200940546Y 【授權(quán)公告日】2007-08-29 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】F03D9/00; F03G5/00 【發(fā)明人】丘明進 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種踩壓式發(fā)電裝置，其包括一氣壓馬達(dá)及一能受所述氣壓馬達(dá)驅(qū) 動以產(chǎn)生電力的發(fā)電機，其特征在于： 所述踩壓式發(fā)電裝置還包括一外殼以及一撓性囊體，所述外殼內(nèi)部形 成一空間并具有一使所述空間與外界連通的頂部開口；所述撓性囊體設(shè)置 于所述外殼的空間內(nèi)并鄰近所述頂部開口，所述撓性囊體內(nèi)部形成一氣室，并 具有一外露于所述頂部開口以供踩壓的受壓部、一連通外界的進氣口及一 出氣口，且所述出氣口以一連通管路連接到所述氣壓馬達(dá)； 所述進氣口設(shè)置一限制氣體單向由所述進氣口進入所述撓性囊體的進 氣單向閥，所述出氣口設(shè)置一限制氣體單向由所述出氣口進入所述連通管 路的出氣單向閥； 通過所述受壓部受壓往所述外殼內(nèi)位移，壓迫所述氣室，并由所述出 氣口輸出一風(fēng)力到所述氣壓馬達(dá)，驅(qū)動所述氣壓馬達(dá)運轉(zhuǎn)并帶動所述發(fā)電 機發(fā)電。 【當(dāng)前權(quán)利人】華岡科技有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣臺北縣 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.mhvdw.cn/1776962970.html
喜歡就贊一下
