【摘要】本發明公開了一種硫化鎘－胱氨酸復合物納米 線的制備方法，步驟和條件為：在攪拌下，往帶有一個冷凝管 的反應器中加入硫化鎘納米粒子溶液和L－半胱氨酸溶液，硫 化鎘和L－半胱氨酸的摩爾比為5∶1～30；冷凝管上端不封 閉，將反應液加熱至6
【摘要】 本發明提供一種圖像傳感器裝置與光電元件。上述圖像傳感器裝置，包括圖像感測像素陣列設置于襯底的第一區域，以及邏輯電路設置于襯底的第二區域，其中邏輯電路包括互補型金屬氧化物半導體晶體管。每個圖像感測像素包括完全不具有自對準硅化物的晶體管及釘扎光電二極管。其中第二區域的CMOS晶體管上具有自對準硅化物，且第一區域的晶體管完全不具有自對準硅化物。本發明通過在圖像感測像素區域的表面上完全不形成金屬硅化物，由此可有效地降低暗電流，進而獲得高信號－噪聲比的圖像傳感器裝置。另一方面，僅僅將金屬硅化物形成于CMOS邏輯電路區域的柵極結構頂部與漏極/源極區域表面，而顯著增加CMOS邏輯電路的運算速率。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610121424.9 【申請日】2006-08-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1983609A 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100452417C 【授權公告日】2009-01-14 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/146; H04N5/30 【發明人】林志旻 【主權項內容】1.一種圖像傳感器裝置，包括： 圖像感測像素陣列，設置于襯底的第一區域，每個圖像感測像素包括完 全不具有自對準硅化物的晶體管及釘扎光電二極管；以及 邏輯電路，包括設置于該襯底的第二區域的互補型金屬氧化物半導體晶 體管，其中該第二區域的該互補型金屬氧化物半導體晶體管上具有自對準硅 化物，且該第一區域的該晶體管完全不具有自對準硅化物。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【引證次數】2.0 【被引證次數】7 【自引次數】2.0 【被自引次數】2.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】14.0 【家族被引證次數】26
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776939080.html
喜歡就贊一下
