【摘要】本發(fā)明為一種住宿管理語言顯示系統(tǒng)及方法，用以解決公知技術(shù)無法滿足不同語言使用者的需求，本發(fā)明的住宿管理語言顯示系統(tǒng)用于一住宿管理人員于一住宿房客完成住宿登錄作業(yè)后，接著改變一房間控制裝置的語言顯示，該住宿管理語言顯示系統(tǒng)包括一輸入裝
【摘要】 一種單閘極的非揮發(fā)性內(nèi)存及其操作方法，此非揮發(fā)性內(nèi)存是在半導(dǎo)體基底內(nèi)嵌晶體管及電容結(jié)構(gòu)，晶體管包含第一導(dǎo)電閘極、第一介電層與多個(gè)第一離子摻雜區(qū)，而電容結(jié)構(gòu)則包含第二導(dǎo)電閘極、第二介電層與第二離子摻雜區(qū)，且第一導(dǎo)電閘極與第二導(dǎo)電閘極是相互電連接而形成記憶胞的單浮接閘極，此單閘極記憶胞乃可藉由逆向偏壓進(jìn)行寫入以及相關(guān)的抹除及讀取等操作，另外，有隔離井區(qū)的操作時(shí)，可藉由施加正負(fù)電壓于汲極、閘極及硅基底或井區(qū)，來產(chǎn)生反層，以降低絕對電壓，減少升壓電路的面積，并達(dá)成降低電流消耗的目的。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】億而得微電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺(tái)灣省新竹縣竹北市臺(tái)元街28號(hào)7樓之2 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺(tái)灣省 【申請?zhí)枴緾N200610066471.8 【申請日】2006-04-03 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101051639A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100505271C 【授權(quán)公告日】2009-06-24 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】林信章; 黃文謙; 楊明蒼; 張浩誠; 吳政穎 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種單閘極的非揮發(fā)性內(nèi)存，包括： 一半導(dǎo)體基底； 一晶體管，系包含一第一介電層、一第一導(dǎo)電閘極與復(fù)數(shù)個(gè)第一離 子摻雜區(qū)，該第一介電層系位于該半導(dǎo)體基底表面，該第一導(dǎo)電閘極系 迭設(shè)于該第一介電層上方，該些第一離子摻雜區(qū)系位于該第一導(dǎo)電閘極 的兩側(cè)分別形成源極及汲極；及 一電容結(jié)構(gòu)，系包含一第二介電層、一第二導(dǎo)電閘極與一第二離子 摻雜區(qū)，該第二介電層系位于該半導(dǎo)體基底表面，該第二導(dǎo)電閘極系迭 設(shè)于該第二介電層上方，該第二離子摻雜區(qū)系位于該第二介電層一側(cè)， 且該第一導(dǎo)電閘極與該第二導(dǎo)電閘極系為隔離且為電連接，作為單浮接 閘極。 【當(dāng)前權(quán)利人】億而得微電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺(tái)灣省新竹縣竹北市臺(tái)元街28號(hào)7樓之2 【被引證次數(shù)】6 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】6
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