【摘要】一種集成電路封裝結構，包含有一導線架、集成電路晶粒及封裝層，其中導線架周圍形成多個引腳，從封裝層的側面外露。此外，導線架還具有額外的輔助引腳，其一端使用引線電連接于集成電路晶粒的特定功能定義接點，且輔助引腳的末端外露于封裝層的頂面，
【摘要】 本發明是提供一種半導體裝置及其制造方法、與其所使用的圖罩。上述一種半導體裝置，其在一基底上具有為一隔離結構所隔離的主動區，其中在上述 主動區內，上述半導體裝置包含：一柵極于上述基底上，其延伸橫越上述主動區；一源極區與一漏極區，置于上述柵極二側的基底上；以及一柵極介電層，置于上述基底與上述柵極之間，其包含相對較厚的一高壓介電質區、與厚度相對較薄的一低壓介電質區，其中上述高壓介電質區是占據著上述漏極、上述隔離結構、與上述柵極所交界的一第一交界區及上述源極、上述隔離結構、與上述柵極所交界的一第二交界區。本發明可有效改善因場氧化層所造成的低擊穿電壓的問題，并能夠減少制程步驟與成本。。： 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610140510.4 【申請日】2006-10-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101071824A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100490177C 【授權公告日】2009-05-20 【授權公告年份】2009.0 【發明人】林怡君; 吳國銘; 柳瑞興 【主權項內容】1、一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置在一基底上 具有為一隔離結構所隔離的主動區，其中在該主動區內，該半導 體裝置包含： 一柵極于該基底上，其延伸橫越該主動區； 一源極區與一漏極區，置于該柵極二側的基底上；以及 一柵極介電層，置于該基底與該柵極之間，其包含厚度相對 較厚的一高壓介電質區、與厚度相對較薄的一低壓介電質區，其 中該高壓介電質區是占據著該漏極、該隔離結構、與該柵極所交 界的一第一交界區及該源極、該隔離結構、與該柵極所交界的一 第二交界區。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】7 【被他引次數】7.0 【家族被引證次數】11
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