【摘要】 本發(fā)明提供一種能增強(qiáng)氫化處理效果的系統(tǒng)與方法，該系統(tǒng)包括有一薄膜晶體管，其包括一基底、一擴(kuò)散阻障層設(shè)于基底上、一設(shè)于擴(kuò)散阻障層之上的襯墊層、一設(shè)于襯墊層上的多晶硅材料層，以及一設(shè)于多晶硅材料層上的柵極介電層。襯墊層的厚度等于或小于
【摘要】 本實(shí)用新型是一種發(fā)光二極管的散熱模塊卡合結(jié)構(gòu)，其是一種使用于發(fā)光二極管光源散熱用的模塊，所述模塊上設(shè)有至少一發(fā)光二極管及配合的電路板，而所述模塊外圍則設(shè)有與所述電路板作電連通的電接點(diǎn)，而在所述模塊邊緣則設(shè)有互相配合的卡扣件，使用時(shí)，可隨需要令一個(gè)以上的模塊，通過(guò)卡扣件扣合組裝在一起，并透過(guò)電接點(diǎn)使各模塊上的發(fā)光二極管互相作電連接，如此一來(lái)，不但可不斷擴(kuò)充面積，而不需隨發(fā)光二極管數(shù)目制作不同面積的散熱座，達(dá)到節(jié)省成本及組裝便利的目的。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】黃正朝 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620124139.8 【申請(qǐng)日】2006-08-04 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN2929473Y 【公開(kāi)公告日】2007-08-01 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN2929473Y 【授權(quán)公告日】2007-08-01 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】F21V29/00; F21V23/06; F21Y101/02; F21V29/508; F21V29/71; F21Y115/10 【發(fā)明人】黃正朝 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種發(fā)光二極管的散熱模塊卡合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有： 一散熱模塊，所述散熱模塊設(shè)有散熱鰭片，且所述散熱模塊周邊設(shè)有互相配 合的卡扣件，而所述散熱模塊邊緣分別設(shè)有導(dǎo)電用的電接點(diǎn)； 至少一發(fā)光二極管，其是設(shè)置在散熱模塊未設(shè)有散熱鰭片的一面上，所述發(fā) 光二極管下設(shè)有與之配合的電路板，所述電路板透過(guò)電氣線路與電接點(diǎn)相連接； 一個(gè)以上的模塊，通過(guò)卡扣件扣合組裝在一起，并透過(guò)電接點(diǎn)使各模塊上的 發(fā)光二極管互相作電連接。 【當(dāng)前權(quán)利人】黃正朝 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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