【摘要】一種用以制造具有膠層的晶片的晶圓處理方法。在晶圓的表面上涂布具有兩階特性的液態(tài)膠層。接著，通過(guò)加熱或照射紫外光，以使液態(tài)膠層預(yù)固化而轉(zhuǎn)換為具有B階特性的粘合膜。在定位晶圓之后，晶圓經(jīng)切割后而形成具有膠層的多數(shù)個(gè)晶片。【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明
【摘要】 一種改變及讀取存儲(chǔ)器單元內(nèi)容的方法包括下 列步驟：施加編程電壓給第一控制柵極以及第二控制柵極，以 使載流子被注入及陷獲于第一電荷陷獲區(qū)域內(nèi)或第二電荷陷 獲區(qū)域內(nèi)；施加擦除電壓給第一控制柵極及第二控制柵極，使 該被陷獲的載流子從第一電荷陷獲區(qū)域及/或第二電荷陷獲區(qū) 域移出；及施加一系列讀取電壓給第一控制柵極及第二控制柵 極，以決定第一位的狀態(tài)及第二位的狀態(tài)。。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】旺宏電子股份有限公司 【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610108465.4 【申請(qǐng)日】2006-08-04 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1941201A 【公開(kāi)公告日】2007-04-04 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100481265C 【授權(quán)公告日】2009-04-22 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】何家驊; 呂函庭 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種改變及讀取存儲(chǔ)器單元內(nèi)容的方法，該存儲(chǔ)器單元包括 位于襯底內(nèi)的漏極、源極及在兩者之間的溝道，覆蓋該溝道的第一電 荷陷獲區(qū)域及第二電荷陷獲區(qū)域，及分別靠近該第一電荷陷獲區(qū)域及 該第二電荷陷獲區(qū)域的第一控制柵極及第二控制柵極，該單元分布儲(chǔ) 存第一位與第二位，該第一位由陷獲于該第一電荷陷獲區(qū)域內(nèi)的電荷 存在與否表示，該第二位由被陷獲于該第二電荷陷獲區(qū)域內(nèi)的電荷存 在與否表示，該方法包括： 施加編程電壓給該第一控制柵極與該第二控制柵極，以使載流子 被注入及陷獲于該第一電荷陷獲區(qū)域內(nèi)或該第二電荷陷獲區(qū)域內(nèi)，其 中被陷獲的該載流子表示該第一位或該第二位各自的編程狀態(tài)； 施加擦除電壓給該第一控制柵極及給該第二控制柵極，使被陷獲 的該載流子從該第一電荷陷獲區(qū)域及/或該第二電荷陷獲區(qū)域移出， 在該第一電荷陷獲區(qū)域及/或第二電荷陷獲區(qū)域沒(méi)有被陷獲載流子表 示該第一位或該第二位各自的擦除狀態(tài)；以及 施加一系列的讀取電壓給該第一控制柵極及該第二控制柵極，以 決定該第一位的狀態(tài)及該第二位的狀態(tài)。 【當(dāng)前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】6 【家族被引證次數(shù)】12
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