【摘要】一種高周波加熱模具，在接近模具的加熱面布置 線圈導(dǎo)孔，并以線圈環(huán)繞加熱面，再通以高周波電流于線圈上， 由于電流方向變化將在環(huán)形封閉線圈所包圍的金屬塊處產(chǎn)生 磁滯損與渦流損，使得金屬表面溫度急遽上升達(dá)到快速加熱模 具表面溫度的效果；又
【摘要】 本發(fā)明揭示一種用于制造薄膜晶體管(TFT)陣列的方法，其包括：提供基板；在該基板上形成圖案化的第一金屬層，該圖案化的第一金屬層包括多條第一導(dǎo)線及多條第二導(dǎo)線，其中上述這些第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線互相垂直；在該圖案化第一金屬層上方形成絕緣層；形成圖案化硅層；形成圖案化鈍化層在該圖案化硅層及該圖案化第一金屬層上方，使該圖案化硅層部分及上述這些第一導(dǎo)線中的每一導(dǎo)線與上述這些第二導(dǎo)線中的每一導(dǎo)線部分暴露出來；及在該圖案化鈍化層上方形成圖案化摻雜硅層與圖案化第二金屬層，從而填充接觸該圖案化硅層的上述這些已曝露部分及上述這些第一導(dǎo)線與上述這些第二導(dǎo)線的上述這些已曝露部分，其中，該圖案化第二金屬層包括多條第三導(dǎo)線及多條第四導(dǎo)線，上述這些第三及第四導(dǎo)線中的每一條分別對應(yīng)于該多條第一導(dǎo)線中的一條與該多條第二導(dǎo)線中的一條。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮(zhèn)中興路4段195號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610140665.8 【申請日】2006-09-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101034685A 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100477171C 【授權(quán)公告日】2009-04-08 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】陳昱丞; 陳宏澤 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種用于制造薄膜晶體管陣列的方法，其特征是包含： 提供基板； 在該基板上形成圖案化第一金屬層，該圖案化第一金屬層包 括多條第一導(dǎo)線及多條第二導(dǎo)線，其中上述這些第一導(dǎo)線及上述 這些第二導(dǎo)線系互相垂直，上述這些第一導(dǎo)線中的每一條包括多 個(gè)柵極電極，上述這些柵極電極中的每一個(gè)位于上述這些第一導(dǎo) 線中的一條與上述這些第二導(dǎo)線中的一條的交叉點(diǎn)附近； 在該圖案化第一金屬層上方形成絕緣層； 形成圖案化硅層； 形成圖案化鈍化層在該圖案化硅層及該圖案化第一金屬層 上方，使該圖案化硅層的部分及上述這些第一導(dǎo)線中的每一導(dǎo)線 與上述這些第二導(dǎo)線中的每一導(dǎo)線部分暴露出來；及 在該圖案化鈍化層上方形成圖案化摻雜硅層與圖案化第二 金屬層，從而填充接觸該圖案化硅層上述這些已暴露部分及上述 這些第一導(dǎo)線與上述這些第二導(dǎo)線的上述這些已暴露部分，其 中，該圖案化第二金屬層包括多條第三導(dǎo)線及多條第四導(dǎo)線，上 述這些第三及第四導(dǎo)線中的每一條分別對應(yīng)于該多條第一導(dǎo)線 中的一條及該多條第二導(dǎo)線中的一條。 【當(dāng)前權(quán)利人】財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮(zhèn)中興路4段195號 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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