【摘要】本實用新型為一種阻風門器，設于爐具風門的凸緣上，其中包括：一桿體，設于該凸緣上；二板體，概呈半圓形，分別樞設于該桿體的二側；其可向上擺動而閉合；一固定件，用于維持該二板體處于閉合狀態；由上述元件的組合，當該爐具的溫度異常升高并持續一
【摘要】 本發明提供一種三維集成電路的形成方法，包括：提供一第一晶圓，包括一硅層，位于該第一晶圓的頂部表面提供一第二晶圓，包括一氧化硅層，位于該第二晶圓的頂部表面，將該氧化硅層的頂部表面對應至該硅層的頂部表面并施加一壓力，較佳施加一低壓力，將該第一及該第二晶圓連接，形成接觸插塞以電性連接該第一及該第二晶圓內的集成電路。在將該第一及該第二晶圓連接之前，較佳以一化學機械研磨制程及等離子處理將該氧化硅層的表面整平。本發明所提供的三維集成電路的形成方法，利用硅原子與氧原子間的共價鍵，可在低壓及低溫下進行接合制程，可保持低介電常數的多孔性及其介電常數，適用于形成具有低介電常數的三維集成電路。 數據由整理 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610111819.0 【申請日】2006-08-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101043023A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100561709C 【授權公告日】2009-11-18 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/82; H01L21/768 【發明人】邱文智 【主權項內容】1.一種三維集成電路的形成方法，其特征在于，所述三維集 成電路的形成方法包括： 提供一第一晶圓，包括一硅層位于該第一晶圓的頂部表面； 提供一第二晶圓，包括一氧化硅層位于該第二晶圓的頂部表 面； 將該氧化硅層的頂部表面對應至該硅層的頂部表面，并施加 一壓力以接合該第一晶圓及該第二晶圓；以及 形成接觸插塞，用以連接該第一晶圓及該第二晶圓的集成電 路。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】10 【被自引次數】1.0 【被他引次數】9.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】35
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