【摘要】本發(fā)明的濕浸式光刻工藝的操作系統(tǒng)是依據(jù)晶片完成濕浸式光刻曝光后等候烘烤的狀況來調(diào)整將晶片導(dǎo)入濕浸式光刻工藝的速度，以使得已完成曝光的晶片得以有效率且即時地烘烤。【專利類型】發(fā)明申請【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申
【摘要】 本發(fā)明提供一種制作金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管元件的方法，特征在結(jié)合具有不同應(yīng)力(stress)作用下(壓縮或伸張)的氮化硅蓋層以及一額外的淺溝絕緣層的回蝕刻步驟，使N或P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管元件可以同時具有較高電流增益，藉以改善半導(dǎo)體晶體管元件的操作效能。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610051493.7 【申請日】2006-02-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101030541A 【公開公告日】2007-09-05 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100466207C 【授權(quán)公告日】2009-03-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】丁世汎; 黃正同; 洪文瀚; 鄭子銘; 沈澤民; 盛義忠 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種制作MOS晶體管元件的方法，包括： 提供一半導(dǎo)體襯底，其具有一有源區(qū)域，其中該有源區(qū)域由一淺溝絕 緣結(jié)構(gòu)所隔離； 于該有源區(qū)域上形成一柵極介電層； 于該柵極介電層上形成一柵極，該柵極具有一側(cè)壁以及一上表面； 于該柵極的該側(cè)壁上形成一襯墊層； 于該襯墊層上形成一氮化硅間隙壁； 利用該柵極以及該氮化硅間隙壁作為注入掩模，對該有源區(qū)域進(jìn)行一 離子注入工藝，藉此于該主表面的該柵極兩側(cè)形成一漏極/源極區(qū)域； 于該柵極的該上表面以及該漏極/源極區(qū)域上形成一硅化金屬層； 進(jìn)行一蝕刻工藝，去除一預(yù)定厚度的該淺溝絕緣結(jié)構(gòu)，以于該有源區(qū) 域的周緣形成一高度落差h； 去除該氮化硅間隙壁；以及 形成與該襯墊層直接接壤的一應(yīng)力層，且該應(yīng)力層具有一特定的應(yīng)力 狀態(tài)，且延伸至該淺溝絕緣結(jié)構(gòu)上。 【當(dāng)前權(quán)利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.mhvdw.cn/1776847981.html
喜歡就贊一下
