【摘要】一種手提式研磨機，包含有一機殼、一用以提供電源的電池、一馬達、一照明裝置、一控制座及一與該馬達連接的夾具；該機殼，具有二對合連接的半殼體以及一連接于該二半殼體前端的前蓋，該二半殼體內部形成有若干可供該電池、馬達、照明裝置、控制座及夾
【摘要】 本發明提供一種凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法。首先提供半導體基底，其具有存儲器陣列區，其中該半導體基底具有主表面，且在該主表面上形成有墊氧化層以及墊氮化硅層。本發明的特征在于利用形成在溝槽上蓋層的側壁上的對稱側壁子，進行柵極溝槽以及自我對準凹入式柵極晶體管的制作。 【專利類型】發明申請 【申請人】南亞科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610084285.7 【申請日】2006-05-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083229A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100472757C 【授權公告日】2009-03-25 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8242; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/70; H01L21/02 【發明人】李友弼; 林瑄智; 何家銘 【主權項內容】1.一種自動對準凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法，包含有： 提供半導體基底，其中該半導體基底具有主表面； 于該半導體基底中形成多個溝槽電容，其中各該多個溝槽電容上皆有溝 槽上蓋層，凸出該主表面； 于該半導體基底上沉積氮化硅層，使其覆蓋該溝槽上蓋層的上表面以及 側壁； 于該氮化硅層上沉積多晶硅層； 各向異性蝕刻該多晶硅層，以于該溝槽上蓋層的側壁上形成多晶硅側壁 子； 氧化該多晶硅側壁子，形成硅氧側壁子； 利用該硅氧側壁子作為蝕刻硬掩模，蝕刻該氮化硅層以及該半導體基 底，形成柵極溝槽； 于該柵極溝槽的側壁以及底部上形成柵極介電層；以及 于該柵極介電層上形成柵極材料層，并使其填滿該柵極溝槽。 【當前權利人】南亞科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣桃園縣 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】2
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776806704.html
喜歡就贊一下
