【摘要】一種水冷輔助散熱裝置，其包括至少一輔助散熱件、一導熱件、至少一主要散熱件及一金屬管組，所述導熱件一端穿設于所述輔助散熱件，另一端樞接于所述主要散熱件，所述金屬管組是穿設于所述主要散熱件。如此能將所述金屬管組的部分熱能，傳導至所述輔助
【摘要】 本發明提供一種非揮發性內存結構及其操作方法，其是使用單一浮接閘極結構及包含一對相異離子摻雜區的電容結構，用來增加電容值，達成縮小面積的目的，使此內存結構進行程序化時，對源極施加一電壓或對晶體管基底施加一背向偏壓，從而大幅降低單閘極式電子式可清除程序化只讀存儲器(EEPROM)組件的電流需求，而在進行擦除時，將汲極電壓提高，并在閘極加上一個微小電壓，使進行擦除時增加F－N隧穿電流，進而實現高速擦除。 【專利類型】發明申請 【申請人】億而得微電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹縣竹北市臺元街28號7樓之2 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610066475.6 【申請日】2006-04-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051640A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【發明人】林信章; 黃文謙; 楊明蒼; 張浩誠; 吳政穎 【主權項內容】1、一種非揮發性內存結構，其特征在于，包括： 一個半導體基底； 一個晶體管結構，位于該半導體基底上；以及 一個電容結構，位于該半導體基底上，該電容結構包括一個位于 該半導體基底內的N型井，該N型井內設有一對相異離子摻雜區，該 N型井表面上設置一層第一介電層，在該第一介電層上設置一個第一 導電閘極，該晶體管結構及該電容結構兩者隔離且為電連接，用來作 為單浮接閘極。 【當前權利人】億而得微電子股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹縣竹北市臺元街28號7樓之2
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