【摘要】本實用新型公開了一種無線式電熱發卷結構。包括：一發卷主體，具導熱性，大致呈一筒狀，且其內部形成容置空間；一電熱構件，組設于發卷主體的容置空間中；一電池組，與該電熱構件相連結；一控制單元，組設于發卷主體的外部；一隔熱構件，為隔熱材質構
【摘要】 一種包括離子摻雜接面的高壓側驅動器的半導 體結構。離子摻雜接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、 一第一重離子摻雜區域及一第二重離子摻雜區域。第一深阱及 第二深阱彼此部分連接形成于基板內，且第一深阱及第二深阱 具有相同離子摻雜型態。于第一深阱內形成用以連接第一高電 壓的第一重離子摻雜區域，且第一重離子摻雜區域具有與第一 深阱相同的離子摻雜型態。于第二深阱內形成用以連接第二高 電壓的第二重離子摻雜區域，且第二重離子摻雜區域具有與第 一深阱相同的離子摻雜型態。。 【專利類型】發明申請 【申請人】崇貿科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省231臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610143387.1 【申請日】2006-11-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1967844A 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100428473C 【授權公告日】2008-10-22 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L27/04; H01L21/822; H01L21/70 【發明人】蔣秋志; 黃志豐 【主權項內容】1.一種高壓側驅動器的半導體結構，包括： 一離子摻雜接面，包括： 一基板； 一第一深阱及一第二深阱，形成于該基板內，其中該第一深阱 及該第二深阱是分開但彼此部分連接且具有相同的離子摻雜型態； 一第一重離子摻雜區域，形成于該第一深阱內以連接至一第一 高電壓，其中該第一重離子摻雜區域具有與該第一深阱相同的離子摻雜型態； 以及 一第二重離子摻雜區域，形成于該第二深阱內以連接至一第二 高電壓，其中該第二重離子摻雜區域具有與該第一深阱相同的離子摻雜型態。 ： 【當前權利人】崇貿科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【家族引證次數】4.0
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