【摘要】本發明提供一種程序代碼執行方法，適用于具有主引導記錄的處理裝置，其中主引導記錄指向第一操作系統的第一加載模塊，使處理裝置可在第一操作系統啟動，此執行方法包括下列步驟：在磁盤空間中，建立虛擬磁盤驅動器；儲存主引導記錄于虛擬磁盤驅動器中
【摘要】 一種儲存電荷元件的制造方法，利用原子層沉積法能精確控制薄膜成長厚度以及硅含量的特性，在沉積氧化硅鉿HfxSiyOz的過程中，漸變式改變硅含量，因此可容易的制作出堆疊的漸變材料層。然后，利用硅含量y會影響氫氟酸溶液對氧化硅鉿HfxSiyOz蝕刻率的特性，使經稀釋氫氟酸溶液蝕刻后的堆疊的漸變材料層側壁輪廓呈現不規則狀。由于下電極、電容介電層、上電極是形成在具有不規則輪廓的漸變式的堆疊絕緣層的側壁上，因此可以增加下電極與上電極之間所夾的面積，而可以提高儲存電荷元件的儲存量。 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮中興路四段195號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610002341.8 【申請日】2006-01-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009216A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100565795C 【授權公告日】2009-12-02 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/02; H01L21/8242; H01L21/8222; H01L21/70 【發明人】梁虔碩; 曾培哲; 李亨元; 李隆盛 【主權項內容】1.一種儲存電荷元件的制造方法，其特征是包括： 提供基底； 于該基底上形成堆疊絕緣層，該堆疊絕緣層由多層漸變材料層所構 成，上述這些漸變材料層之材質的通式為bycz或axbycz，a、b、c分別表示 不同的元素，其中從各上述這些漸變材料層的底部至頂部，該y值逐漸改 變，x+y+z值固定為100％； 于該堆疊絕緣層上形成掩膜層； 圖案化該掩膜層及該堆疊絕緣層，以形成暴露該基底之開口； 進行蝕刻步驟，使該開口具有不規則形狀之側壁；以及 于該開口側壁及該基底上形成下電極。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮中興路四段195號 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】6
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