【摘要】本實用新型公開了一種石英球的包覆結構，包括一殼體、至少一顆石英球及一肋環，該殼體為對稱外殼，蓋合后形成至少一球室，可容置石英球，其中至少一球室內面形成有一凹槽；該具相當強度且一體成型的環狀肋環，緊密迫合于石英的最大徑圍，進而置入上述
【摘要】 本發明提供一種半導體結構及其制造方法，半導 體結構包括具有第一晶向的第一半導體層，具有第二晶向的第 二半導體層，位于第一半導體層之下的第一絕緣層，以及位于 第二半導體層之下的第二絕緣層，其中，第二晶向不同于第一 晶向。本發明所述半導體結構及其制造方法，使具有NMOS 及PMOS晶體管的裝置可形成在同一晶圓上，各自發揮其優異 效能，而無需犧牲任一晶體管的操作性能，且可避免或減少這 些裝置彼此之間的干擾，進而簡化制程、節省制造成本。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610076515.5 【申請日】2006-04-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1964045A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100547786C 【授權公告日】2009-10-07 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/02; H01L27/092; H01L21/82; H01L21/8238 【發明人】莊強名; 陳光鑫; 吳憶魯 【主權項內容】1.一種半導體結構，所述半導體結構包括： 一第一半導體層，具有一第一晶向； 一第二半導體層，具有一第二晶向，該第二晶向不同于該第 一晶向； 一第一絕緣層，位于該第一半導體層之下；以及 一第二絕緣層，位于該第二半導體層之下。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【家族引證次數】43.0 【家族被引證次數】14
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