【摘要】一種具有隱藏標簽條的抽取式便條紙盒，主要在一抽取式便條紙盒底部樞接一標簽條收存部，該收存部可與抽取式便條紙盒底部開啟或蓋合。當要取出標簽條時，可將收存部開啟而取出內部收容的標簽條；而于平常，該收存部蓋合于抽取式便條紙盒底部將 標簽條
【摘要】 本發明是有關于一種高功率金屬氧化半導體元 件，包括一P型基極區域，此P型基極區域具有N+型源極且 在施以電負載時其偏壓與P型基材不同。在一實施例中，使用 NPN配置的LDMOS元件，而且其元件源極與基層接點耦接以 防止產生NPN寄生元件。P型基極區域形成在N型井內，此 N型井將基極區域與P形基材以及環繞的P型井隔開。高摻雜 的N+型埋藏層隔開N型井與P型基材，以防止垂直電擊穿。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610099188.5 【申請日】2006-08-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1964071A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/78; H01L27/04; H01L29/66 【發明人】伍佑國; 陳富信; 蔣柏煜; 姜安民 【主權項內容】1、一種高功率金屬氧化物半導體元件，其特征在于其包括： 一第一類型的半導體基材； 一第一類型的第一井，由該半導體基材表面向下延伸； 一第二類型的第二井，被該第一井側向包圍且被該半導體基材從下方 包覆； 一元件汲極，形成在該第二井內； 一閘極介電質，形成在該第二井之上，且一閘極電極形成于該閘極介 電質之上，以作為一元件閘極； 一第一類型的基極區域，形成在該第二井內，且與該第一井和該半導 體基材互相隔開；以及 一元件源極形成在該基極區域內，且電性耦接至一第一接點以連接該 基極區域。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】17
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