【摘要】本實(shí)用新型涉及一種動(dòng)力間接連動(dòng)牽引裝置，其包含一動(dòng)力裝置與一從動(dòng)裝置；動(dòng)力裝置與從動(dòng)裝置在相互牽引的相對應(yīng)位置上，各自設(shè)有磁鐵，且動(dòng)力裝置與從動(dòng)裝置各自設(shè)置的磁鐵均需具有N、S二極以上的磁極。當(dāng)動(dòng)力裝置旋轉(zhuǎn)時(shí)，動(dòng)力裝置的磁鐵與從動(dòng)裝
【摘要】 一種使一電路免于靜電放電傷害的保護(hù)電路和 方法。其中該方法包括檢測一受保護(hù)電路的電源是否啟動(dòng)并于 電路電源啟動(dòng)時(shí)禁能該電路的輸出驅(qū)動(dòng)器。該ESD保護(hù)電路 包含一ESD感測電路和一禁能電路。ESD感測電路包含一連 接于VDD和VSS間的RC電路以及一連接于一第二反相器和 一節(jié)點(diǎn)間的第一反相器，該節(jié)點(diǎn)于RC電路中連接一電阻和一 電容。禁能電路包含第一PMOS晶體管和第一NMOS晶體管， 該第一PMOS晶體管自第二反相器接收一EN信號，而第一 NMOS晶體管自第一反相器接收一EN信號。當(dāng)EN為低電位時(shí)第一 PMOS晶體管連接一第二PMOS晶體管至VDD，而當(dāng)EN為 高電位時(shí)第一NMOS晶體管連接一第二NMOS晶體管至VSS。 該數(shù)據(jù)由<>整理 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】威盛電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺(tái)灣臺(tái)北縣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺(tái)灣省 【申請?zhí)枴緾N200610077118.X 【申請日】2006-04-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953178A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100539141C 【授權(quán)公告日】2009-09-09 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】蒂莫西·戴維斯 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種使一半導(dǎo)體芯片免于靜電放電事件傷害的保護(hù)電路，包含： 一ESD感測電路，包含一RC電路、一第一反相器、和一第二反相器， 該RC電路連接于VDD和VSS之間，該第一反相器連接于該第二反相器和 該RC電路之間，該第二反相器的輸出提供一致能信號EN，該第一反相器 的輸出提供一信號 ，其為EN的反相；以及 一禁能電路，用以接收該EN和 信號并可禁能該半導(dǎo)體芯片的一輸出 驅(qū)動(dòng)器的晶體管。 【當(dāng)前權(quán)利人】威盛電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣臺(tái)北縣 【被引證次數(shù)】10 【家族被引證次數(shù)】44
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.mhvdw.cn/1776751168.html
喜歡就贊一下
