【摘要】本實(shí)用新型涉及閥門，特別是一種適用于高溫、高壓管路系統(tǒng)對(duì)介質(zhì)進(jìn)行控制的流量控制閥，它包括閥體、閥桿，閥桿的圓錐臺(tái)形頭部，閥桿與其圓錐臺(tái)形頭部軸向串動(dòng)、周向轉(zhuǎn)動(dòng)連接，閥桿的圓錐臺(tái)形頭部與在閥體內(nèi)設(shè)置的介質(zhì)進(jìn)、出口的控制口相配合，在閥體
【摘要】 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶片的處理方法及晶邊 殘余物去除系統(tǒng)。該晶邊殘余物去除系統(tǒng)與濕浸式光刻工藝一 起使用，包括：多轉(zhuǎn)速馬達(dá)，用以旋轉(zhuǎn)晶片吸盤，該馬達(dá)可使 該吸盤保持在第一轉(zhuǎn)速大于1500rpm，第二轉(zhuǎn)速約介于 1500rpm和1000rpm之間，以及第三轉(zhuǎn)速小于1000rpm；以及 第一噴嘴，配置于該吸盤上，靠近該吸盤上的晶片邊緣，該第 一噴嘴用以噴灑溶劑。本發(fā)明的所述的半導(dǎo)體晶片的處理方法 及晶邊殘余物去除系統(tǒng)避免了因光致刻蝕劑殘留物與浸入曝 光液和透鏡接觸而污染曝光液和透鏡，也避免了光致刻蝕劑在 曝光過(guò)程中被污染，并且減少了晶片上形成的缺陷。。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610095874.5 【申請(qǐng)日】2006-06-30 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1892445A 【公開公告日】2007-01-10 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN1892445B 【授權(quán)公告日】2012-04-18 【授權(quán)公告年份】2012.0 【IPC分類號(hào)】G03F7/42; H01L21/00 【發(fā)明人】張慶裕; 柯建州; 游大慶 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種半導(dǎo)體晶片的處理方法，包括： 在半導(dǎo)體晶片上形成光敏感層，以進(jìn)行濕浸式光刻工藝； 進(jìn)行晶邊殘余物去除程序，其中包括以大于1500rpm的第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)該 半導(dǎo)體晶片時(shí)，在第一距離處噴灑第一液體到該半導(dǎo)體晶片的正面邊緣； 旋干該半導(dǎo)體晶片； 在旋干該半導(dǎo)體晶片的步驟之后，烘烤該半導(dǎo)體晶片； 在烘烤該半導(dǎo)體晶片的步驟之后，曝光該光敏感層； 曝光后烘烤該光敏感層；以及 在曝光后烘烤該光敏感層的步驟之后，顯影該光敏感層。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【被引證次數(shù)】13 【被他引次數(shù)】13.0 【家族引證次數(shù)】29.0 【家族被引證次數(shù)】29
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