【摘要】本實(shí)用新型系提供一種具有齒盤之關(guān)節(jié)角度調(diào)整裝置，包含：一對(duì)可做相對(duì)旋轉(zhuǎn)之外殼本體，內(nèi)側(cè)具有環(huán)型內(nèi)齒，其中一可旋轉(zhuǎn)的外殼本體內(nèi)部設(shè)有定位槽；一齒盤，藉螺件定位于二外殼本體內(nèi)部，并與環(huán)型內(nèi)齒嚙合，其上對(duì)應(yīng)于定位槽處并具有定位片；一彈性元
【摘要】 一種具有雙電壓源的熔絲記憶位與其電源供應(yīng)方法，其中熔絲連接修整電壓源，第一檢查電路與第二檢查電路被系統(tǒng)電壓源所驅(qū)動(dòng)，檢查電路根據(jù)熔絲的第一端與第二端的電位差，來判斷熔絲是否被燒斷。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】富晶半導(dǎo)體股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610066838.6 【申請(qǐng)日】2006-03-29 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101047166A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】H01L23/58; H01L23/62; H01L27/00 【發(fā)明人】黃一洲; 吳曉龍 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種具有雙電壓源的熔絲記憶位，包括： 系統(tǒng)電壓源； 修整電壓源； 熔絲，與所述修整電壓源連接，所述修整電壓源提供電流以燒斷 所述熔絲；以及 控制電路，由所述系統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)，以控制所述熔絲的讀取與燒 斷； 其中，通過所述控制電路檢查所述熔絲的第一端與第二端的電位 差，以判斷所述熔絲是否被燒斷。 【當(dāng)前權(quán)利人】富晶半導(dǎo)體股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】2 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】2
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