【摘要】本實用新型是一種可不同角度脫模的模具，其內部設置有斜向設置的推抵桿，該推抵桿是相互平行且斜向穿設于該模具的中，不限定是在母?；蚬龋嗖幌薅ㄆ淦钡奈恢?、角度；該推抵桿具有至少一端指向模穴之間的空間，且可受力滑動而突出于模穴表面來
【摘要】 一種非揮發性存儲器的制造方法，首先，提供一基底，此基底具有一存儲單元區與一周邊電路區。接著，于基底中形成多個元件隔離結構。然后，于存儲單元區的基底上形成一層穿隧介電層，且于周邊電路區的基底上形成一層柵氧化層。然后，于基底上形成一層第一導體層，覆蓋存儲單元區與周邊電路區。接下來，將存儲單元區的第一導體層圖案化。再來，于基底上形成復合介電層。然后，移除周邊電路區的復合介電層。之后，再于基底上形成一層第二導體層，覆蓋存儲單元區與周邊電路區。 【專利類型】發明申請 【申請人】力晶半導體股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610005886.4 【申請日】2006-01-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005047A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/8239; H01L21/70 【發明人】王進忠; 賴佳平; 洪哲懷 【主權項內容】1、一種非揮發性存儲器的制造方法，包括： 提供基底，該基底具有存儲單元區與周邊電路區； 于該基底中形成多個元件隔離結構； 于該存儲單元區的該基底上形成穿隧介電層，且于該周邊電路區的該基 底上形成柵氧化層； 于該基底上形成第一導體層，覆蓋該存儲單元區與該周邊電路區； 圖案化該存儲單元區的該第一導體層； 于該基底上形成復合介電層； 移除該周邊電路區的該復合介電層；以及 于該基底上形成第二導體層，覆蓋該存儲單元區與該周邊電路區。 【當前權利人】力晶半導體股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族被引證次數】3
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