【摘要】一種陶瓷增氧器，包括：一頂塞，其具有一朝下 的蓋體及一桿體，且該桿體側邊設有氣體入口，底部設有氣體 出口；一底座，其由一朝上的承體及一出氣管構成；一外濾網， 是設于前述蓋體及承體之間；一陶瓷濾芯，是呈環狀體，套設 在該外濾網之內，以
【摘要】 一種薄膜晶體管陣列基板，其具有多個次像素區，且各次像素區內分別配置有一薄膜晶體管，其包括一柵極、一通道層、一源極與一漏極。其中，通道層配置于源極、漏極與柵極之間。此外，漏極與柵極之間具有一重疊區域，以使得漏極、通道層與柵極構成一柵極－漏極寄生電容。此薄膜晶體管陣列基板的特征在于次像素區包括多個面積為S1的第一次像素區與多個面積為S2的第二次像素區，且S1＞S2。另外，位于第一次像素區內的各重疊區域的大小為A1，而位于第二次像素區內的各重疊區域的大小為A2，且1＜A1/A2≤S1/S2。 【專利類型】發明申請 【申請人】奇美電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺南縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610067624.0 【申請日】2006-03-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101038406A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN101038406B 【授權公告日】2011-03-16 【授權公告年份】2011.0 【IPC分類號】G02F1/136; G02F1/133; G02F1/1335; H01L29/786; G02F1/13; H01L29/66 【發明人】楊明達; 石明家; 許哲銘 【主權項內容】1、一種薄膜晶體管陣列基板，具有多個次像素區，且各該次像素區內 分別配置有薄膜晶體管，各該薄膜晶體管包括柵極、通道層、源極與漏極， 其中該通道層配置于該源極、該漏極與該柵極之間，且該漏極與該柵極之間 具有重疊區域，以使得該漏極、該通道層與該柵極構成柵極-漏極寄生電容， 此薄膜晶體管陣列基板的特征在于： 該些次像素區包括多個面積為S1的第一次像素區與多個面積為S2的第 二次像素區，且S1＞S2，其中位于該些第一次像素區內的各該重疊區域的 大小為A1，而位于該些第二次像素區內的各該重疊區域的大小為A2，且1 ＜A1/A2≤S1/S2。 【當前權利人】奇美電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺南縣 【被引證次數】6 【被自引次數】1.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】6
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