【專利類型】外觀設計【申請人】威技電器股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】中國臺灣【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630136898.1【申請日】2006-08-24【申請年份】2006【公開公告號】CN3
【摘要】 一種集成電路結構，此結構包括基底、接觸窗與肖特基接觸金屬層。基底上已形成有重摻雜區(qū)與輕摻雜區(qū)。接觸窗設置于重摻雜區(qū)上，而肖特基接觸金屬層則設置于輕摻雜區(qū)上，與基底構成肖特基二極管。其中，接觸窗的材料與肖特基接觸金屬層的材料不同。 【專利類型】實用新型 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620112554.1 【申請日】2006-04-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2927322Y 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2927322Y 【授權公告日】2007-07-25 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L27/04 【發(fā)明人】鄭朝華 【主權項內容】1.一種集成電路結構，其特征在于，包括： 基底，該基底上已形成有重摻雜區(qū)與輕摻雜區(qū)； 接觸窗，設置于該重摻雜區(qū)上；以及 肖特基接觸金屬層，設置于該輕摻雜區(qū)上，與該基底構成肖特基二極管， 其中，該接觸窗的材料與該肖特基接觸金屬層的材料不同。 【當前權利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】1 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】1
未經(jīng)允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776719602.html
喜歡就贊一下
