【摘要】本發明涉及一種可節省占用空間的橢圓機，其主要包含有一架體、一回繞機構、二支撐桿、二擺臂、二連桿及二踏板，二支撐桿的前端分別樞接在回繞機構的相對二回繞接點，后端可在接近地面的一導軌上前后運動，各連桿的前端樞接在一擺臂的擺蕩端，各踏板與
【摘要】 本發明提供一種半導體結構及金屬氧化物半導體元件的制作方法，其中通過在柵電極和源極/漏極上的硅化層選擇性地施加應力，進而在該半導體結構的溝道選擇性地施加應力。通過將硅化層晶粒的較大尺寸定位于第一方向以及將較小尺寸定位于第二方向以在此硅化層選擇性地產生應力，該兩方向之一是平行于溝道內載流子移動的方向，且另一方向是垂直于上述載流子移動的方向。用上述半導體元件的制作方法所制作的半導體元件，具有較好的載流子遷移能力，其半導體元件也具有較好的元件性能。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610128863.2 【申請日】2006-08-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101068028A 【公開公告日】2007-11-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100499166C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L29/78; H01L21/336 【發明人】葛崇祜; 李文欽; 胡正明 【主權項內容】1.一種半導體結構，包含一半導體襯底，其中該半導體結構包括： 一硅化層，在該襯底表面上形成，該硅化層的晶粒具有一較大尺寸和一 較小尺寸，該晶粒的該較大尺寸大體上定位于平行該襯底表面的第一方向， 且該晶粒的該較小尺寸大體上定位于平行該襯底表面的第二方向，該第一與 該第二方向相互垂直。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【家族引證次數】18.0 【家族被引證次數】7
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