【摘要】一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟：在一基板上形成一柵極；在該柵極對應(yīng)側(cè)的基板內(nèi)形成多個凹口；在該基板的所述凹口內(nèi)形成一擴散阻障層；以及在所述凹口內(nèi)形成源極漏極區(qū)。本發(fā)明提供了具有設(shè)置在源極漏極區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體合金，并可降低或避免摻
【摘要】 本實用新型公開了一種連接器結(jié)構(gòu)，其包括一絕緣本體、一接地端子組、一導(dǎo)電端子組及一金屬殼體，該絕緣本體形成有一插置空間。該接地端子組由多個第一端子相互鄰接所構(gòu)成，該等第一端子設(shè)置于該絕緣本體，該接地端子組設(shè)有至少一凹槽。該導(dǎo)電端子組具有多個第二端子，該等第二端子設(shè)置于該絕緣本體。該金屬殼體包覆于該絕緣本體，該金屬本體形成有至少一扣合部，該扣合部扣合于該凹槽；藉此，組成一連接器結(jié)構(gòu)，其可增加該接地端子組接地效果，并避免該接地端子組在插頭連接器插接的過程中退出，以及使該金屬殼體的強度增加、不易變形，進而提高產(chǎn)品質(zhì)量，增加產(chǎn)品使用壽命。 【專利類型】實用新型 【申請人】慶良電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣臺北縣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620148864.9 【申請日】2006-11-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200965929Y 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN200965929Y 【授權(quán)公告日】2007-10-24 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01R12/22; H01R24/16; H01R13/506; H01R13/648; H01R13/652; H01R12/71; H01R24/76 【發(fā)明人】陳盈仲; 包中南; 林建成 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種連接器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：一絕緣本體，其形成有一插置空 間；一接地端子組，其由多個第一端子相互鄰接所構(gòu)成，該等第一端子設(shè)置于 該絕緣本體，該接地端子組設(shè)有至少一凹槽；一導(dǎo)電端子組，其具有多個第二 端子，該等第二端子設(shè)置于該絕緣本體；以及一金屬殼體，其包覆于該絕緣本 體，該金屬本體形成有至少一扣合部，該扣合部扣合于該凹槽。 （，） 【當(dāng)前權(quán)利人】慶良電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣臺北縣
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