【摘要】本發明提供一種具有溝槽式柵極的半導體裝置的制造方法，首先，提供一半導體基底，其表面具有一溝槽蝕刻掩膜，其次，利用該溝槽蝕刻掩膜為遮蔽物，并蝕刻該半導體基底，以形成一溝槽，然后，經由該溝槽摻入摻雜劑于該半導體基底以形成一摻雜區域。蝕刻
【摘要】 本發明提供一種具有溝槽式柵極的半導體裝置及其制造方法，其包括提供一半導體襯底，其表面具有一溝槽蝕刻掩模。然后，利用該溝槽蝕刻掩模為遮蔽物，蝕刻該半導體襯底，以形成一第一溝槽，該第一溝槽具有第一深度，接著，經由該第一溝槽摻入雜質于該半導體襯底以形成一摻雜區域。其次，經由該第一溝槽蝕刻位于該第一溝槽底部的該摻雜區域及該半導體襯底，以形成一具有第二深度的第二溝槽，該第二深度大于該第一深度，接著在該第二溝槽的側壁及底部形成一柵極絕緣層；然后在該第二溝槽之中形成一溝槽式柵極。 【專利類型】發明申請 【申請人】南亞科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610009003.7 【申請日】2006-02-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101022083A 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100524661C 【授權公告日】2009-08-05 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/336; H01L21/8234; H01L29/78; H01L27/04; H01L21/02; H01L21/70; H01L29/66 【發明人】林正平; 李培瑛 【主權項內容】1.一種具有溝槽式柵極的半導體裝置的制造方法，包括： 提供一半導體襯底，其表面具有一溝槽蝕刻掩模； 利用該溝槽蝕刻掩模為遮蔽物，蝕刻該半導體襯底，以形成一第一溝槽， 該第一溝槽具有一第一深度； 經由該第一溝槽摻入雜質于該半導體襯底以形成一摻雜區域； 經由該第一溝槽蝕刻位于該第一溝槽底部的該摻雜區域及該半導體襯 底，以形成具有一第二深度的一第二溝槽，該第二深度大于該第一深度； 在該第二溝槽的側壁及底部形成一柵極絕緣層； 在該第二溝槽之中形成一溝槽式柵極。 【當前權利人】南亞科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣桃園縣 【引證次數】2.0 【被引證次數】11 【他引次數】2.0 【被自引次數】1.0 【被他引次數】10.0 【家族引證次數】9.0 【家族被引證次數】13
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