【摘要】一種可調變式拼塊景深濾除系統與方法，用以傳統景深暫存算法之前，將繪圖區(Display Region)作比基本像素(Pixel)單位還大的拼塊(Tile)切割，以拼塊為單位先依拼塊內景深范圍(Zmax and Zmin)對三角貼圖的
【摘要】 本發明公開了一種制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，所述方法包括：提供一基底，且在基底上形成一柵極結構，又在柵極結構周圍形成一偏間隙壁，在偏間隙壁周圍形成一犧牲間隙壁。再者，在柵極結構的兩側形成多個外延層，且外延層位于犧牲間隙壁的外側，之后去除犧牲間隙壁，并在偏間隙壁外側的基底中以及外延層中形成多個漏極/源極延伸區。由于本發明的源極/漏極延伸區在選擇性外延工藝之后制作，所以選擇性外延工藝的高溫不會破壞源極/漏極延伸區。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610084223.6 【申請日】2006-05-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083211A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100585815C 【授權公告日】2010-01-27 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L21/336; H01L21/8238; H01L21/02; H01L21/70 【發明人】藍邦強; 蔡振華; 林育信; 蔡宗龍; 蔡成宗 【主權項內容】1.一種制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括： 提供基底； 在所述基底上形成柵極結構； 在所述柵極結構周圍形成偏間隙壁； 在所述偏間隙壁周圍形成犧牲間隙壁； 在所述柵極結構的兩側形成二外延層，且所述外延層位于所述犧牲間隙 壁的外側； 去除所述犧牲間隙壁；以及 在所述偏間隙壁外側的所述基底中，以及所述外延層中形成多個漏極/ 源極延伸區。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】6
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