【摘要】1.后視圖與主視圖對稱，省略后視圖。 2.本外觀設計要點為形狀。【專利類型】外觀設計【申請人】王中原【申請人類型】個人【申請人地址】(不公告專利權人地址)【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630197117.
【摘要】 本發明公開了一種相變化存儲元件及其制造方法，主要是將碟盤狀相變層埋入于絕緣材料中，并利用光刻技術產生位于碟盤狀相變層中心且貫穿相變層的中心貫孔，和以中心貫 孔為中心且外圍位于碟盤狀相變層邊緣上的環狀貫孔。此時，設置于中心貫孔中的加熱電極可對相變層進行焦耳加熱，并借助控制相變層的厚度來縮小兩者間的接觸面積。再有，一環狀第二電極設置于環狀貫孔中，傳送至相變層間的環形接觸界面的熱經第二電極擴散出來，來避免熱擴散至相變層外圍的刻蝕邊界，進而避免刻蝕缺陷及/或殘留物熔解擴散至相變化材料內導致相變化異常。 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】中國臺灣新竹縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610000297.7 【申請日】2006-01-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101000945A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100524876C 【授權公告日】2009-08-05 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L45/00 【發明人】陳維恕; 陳頤承; 王文翰; 許宏輝; 李乾銘; 卓言; 趙得勝; 李敏鴻 【主權項內容】1、一種相變化存儲元件的制造方法，其特征在于，包括有下列步驟： 提供一第一電極； 在該第一電極上依序形成一第一絕緣層、一相變層和一第二絕緣層； 形成貫穿該第二絕緣層的一環狀貫孔，及貫穿該第二絕緣層、該相變層和 該第一絕緣層的一中心貫孔，其中該中心貫孔位于相對于該環狀貫孔的中心 處； 在該環狀貫孔中形成一第二電極以及在該中心貫孔中形成一加熱電極，其 中該第二電極呈現一環形； 刻蝕相應于該第二電極的該環形外圍以外的區域的該第二絕緣層和該相 變層，直至顯露出該第一絕緣層，使該相變層呈現一碟盤狀； 在該第一絕緣層和該第二絕緣層上形成一第三絕緣層，以覆蓋該第一絕緣 層、該第二電極和該第二絕緣層；以及 對應于該第二電極刻蝕該第三絕緣層，直至顯露出該第二電極。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣 【引證次數】2.0 【被引證次數】16 【他引次數】2.0 【被他引次數】16.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】16
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