【摘要】一種晶圓測試加熱器，應用于加熱測試晶圓，其除了既有的加熱功能外，更于箱體內增加流量控制表與溫控表，而可針對內部管路傳送的熱風，進行溫度與流量的控制，使得晶圓的測試加熱更加精確，由此可達到多樣化功能，同時，其整體體積大小縮小，輕巧且便
【摘要】 本發明涉及一種鉆石基板及其制作方法，該鉆石基板包括：一碳化硅層；一鉆石膜層，形成于該碳化硅層上，以該碳化硅層防止該鉆石膜層產生翹曲變形；及一半導體層，形成于該碳化硅層下，并通過該碳化硅層緩和該鉆石膜層與該半導體層的晶格不匹配性。在成長鉆石膜層的工藝中，先形成碳化硅層于鉆石膜層下方，以減低鉆石膜層的翹曲變形量，再在鉆石膜層上制作半導體層，或在碳化硅層下直接成長出半導體層，以利用碳化硅層來緩和鉆石膜層與半導體層的晶格不匹配性，而提高半導體層的結晶質量，并借以簡化工藝與提升產品的效能與穩定性。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國砂輪企業股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610066354.1 【申請日】2006-03-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047215A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L21/20; H01L33/12; H01L33/48 【發明人】張孝國; 黃仁烜; 陳志鵬; 陳娜玲; 溫世邦 【主權項內容】1.一種鉆石基板，其特征在于，包括有： 一碳化硅層； 一鉆石膜層，形成于該碳化硅層上，以該碳化硅層防止該鉆石膜層產生翹 曲變形；及 一半導體層，形成于該碳化硅層下，并通過該碳化硅層緩和該鉆石膜層與 該半導體層的晶格不匹配性。 【當前權利人】中國砂輪企業股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北市 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族被引證次數】3
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