【摘要】本實用新型涉及一種刀鋒服務器片的固定裝置，于散熱模塊表面穿設定位有固定元件，并使固定元件鎖固至散熱模塊與主機板間的絕緣材料所制成的間隔元件內，使散熱模塊底面抵貼于主機板上的芯片或電子元件表面，而主機板下方則設置有金屬面板，并于金屬面
【摘要】 一種制造羥胺的方法，包含：(1)形成酸性緩沖溶液并進行預處理；以及(2)在催化劑存在的條件下，利用氫氣將該酸性緩沖溶液中的硝酸根還原成羥胺；該預處理是使用具有下式(I)所示官能團的化合物自該酸性緩沖溶液中分離金屬雜質。本發明的方法是使用經預處理去除金屬雜質的酸性緩沖溶液進行羥胺反應，從而可以明顯地提高羥胺反應的選擇率。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國石油化學工業開發股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610075258.3 【申請日】2006-04-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101058410A 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100494050C 【授權公告日】2009-06-03 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】C01B21/14; C01B21/00 【發明人】姚秉鐸; 謝正發; 許仁豪 【主權項內容】1.一種制造羥胺的方法，該方法包括下列步驟： (1)形成包括酸性緩沖劑、硝酸或硝酸鹽、以及金屬雜質的酸性緩沖溶液 并進行預處理，該預處理是使用具有下式(I)所示官能團的化合物自該酸性 緩沖溶液中分離金屬雜質： 式中，R1、R2、及R3是獨立地選自氫、苯基、經C1-6烷基取代的苯基、 經硝基取代的苯基、經胺基取代的苯基、經鹵素取代的苯基、具有1至3個 雜原子的雜芳基、-XR4、以及聚合物所構成的組群；其中，該雜原子是選自 N、O、及S原子所構成的組群、該雜芳基是指具有6至18個碳原子的芳香 族基團、X是表示化學鍵或具有1至6個碳原子的亞烷基，R4是選自氫、苯 基、具有1至3個雜原子的雜芳基、以及聚合物所構成的組群，以及R1、R2、 及R3至少有一個不為氫；以及 (2)在催化劑存在的條件下，利用氫氣將該酸性緩沖溶液中的硝酸根還原 成羥胺。 【當前權利人】中國石油化學工業開發股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北市 【引證次數】2.0 【被引證次數】3 【他引次數】2.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】3
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