【摘要】本實用新型公開一種散熱模塊，包含蒸發器、金屬管、內構件、散熱鰭片、毛細結構和冷卻液體。蒸發器與熱源相接觸。在蒸發器上具有氣體出口和液體入口。金屬管的兩端分別與蒸發器的氣體出口和液體入口相接，以形成一封閉回路。金屬管包含蒸汽部、液體部
【摘要】 判斷半導體曝光條件的方法，包括提供一具有多個相異線條間距的圖形區的光掩模，依據多組設定值相異的工藝參數經由該光掩模對多個晶片曝光，量測各該晶片上的各個圖形區的一臨界尺寸，并建立該多個圖形區的線條間距與相對應的多個臨界尺寸的對應關系數據庫；經由該光掩模對一預測晶片曝光，以同樣方法建立該預測晶片上的一組對應關系；由所建立的該對應關系數據庫中，找出一組最近似于該預測晶片所建立的該組對應關系，并依此判斷當該預測晶片進行曝光時所使用的該多個工藝參數的設定值。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610071587.0 【申請日】2006-03-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101046636A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100535759C 【授權公告日】2009-09-02 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G03F7/20; G03F7/00; H01L21/027; H01L21/02 【發明人】周文湛; 于勁; 施繼雄 【主權項內容】1.一種判斷半導體曝光條件的方法，包括： (a)提供一具有多個圖形區的光掩模，各該圖形區具有多個線條，該 多個圖形區的線條間距相異； (b)依據多組設定值相異的工藝參數經由該光掩模對多個晶片曝光， 以于各該晶片上形成多個線條間距相異的圖形區； (c)量測各該晶片上的各個圖形區的一臨界尺寸； (d)建立該多個晶片上的多個圖形區的線條間距與相對應的多個臨 界尺寸的多組對應關系，各該晶片上的多個圖形區的線條間距與相對應的 多個臨界尺寸是建立有一組對應關系； (e)經由該光掩模對一預測晶片曝光，以于該預測晶片上形成多個線 條間距相異的圖形區； (f)量測該預測晶片上的各該圖形區的一臨界尺寸； (g)建立該預測晶片上的該多個圖形區的線條間距與相對應的多個 臨界尺寸的一組對應關系； (h)由步驟(d)所建立的該多組對應關系中，找出一組對應關系，其是 最近似于步驟(g)所建立的該組對應關系；以及 (i)依據步驟(h)所找出的該組對應關系，判斷當該預測晶片進行曝光 時所使用的該多個工藝參數的設定值。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】5
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