【摘要】本發(fā)明提供一種半導體晶片的處理方法及晶邊 殘余物去除系統(tǒng)。該晶邊殘余物去除系統(tǒng)與濕浸式光刻工藝一 起使用，包括：多轉速馬達，用以旋轉晶片吸盤，該馬達可使 該吸盤保持在第一轉速大于1500rpm，第二轉速約介于 1500rpm和100
【摘要】 本發(fā)明是有關于一種浸潤式微影的方法及其光 阻材料，其中此光阻材料包含聚合物、光酸產生劑以及抑制劑。 聚合物與酸反應后，能溶解于堿性溶液中。光酸產生劑吸收輻 射后，能分解形成酸。抑制劑能中和酸且流動性低。因此，此 光阻材料能避免浸潤式微影中的水紋缺陷。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610152428.3 【申請日】2006-09-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1940721A 【公開公告日】2007-04-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1940721B 【授權公告日】2011-05-25 【授權公告年份】2011.0 【發(fā)明人】張慶裕 【主權項內容】1、一種用于浸潤式微影的光阻材料，其特征在于其包含： 一聚合物，該聚合物與一酸反應后，能溶解于一堿性溶液中； 一光酸產生劑，該光酸產生劑在吸收一輻射后，能分解形成該酸；以及 一抑制劑，該抑制劑能中和該酸且流動性低，其中該抑制劑在該光阻 中的重量百分濃度高于0.5％。 微信 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【被引證次數(shù)】1 【家族被引證次數(shù)】9
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