【摘要】本發明涉及一種中草藥制劑，特別是涉及后天性 耳聾(主要指神經性耳聾、中老年耳聾及耳毒性藥物導致的耳聾)治療的制劑，該制劑的特點在于服用后起效快，療程短，不反彈。對于不同程度的耳聾患者有較好的治療作用。本發明制劑工藝穩定、生產操作簡便
【摘要】 本發明公開了一種環路低通濾波器，包括：電阻、第一薄柵耗盡型NMOS管、第二薄柵耗盡型NMOS管和電平移位器，其中，第一NMOS管、第二NMOS管的源極、漏極和襯底都與電平移位器的輸出端相接；電平移位器，用于輸出大于0的電壓信號。本發明通過將環路低通濾波器中的薄柵增強型NMOS管替換為薄柵耗盡型NMOS管，并將兩耗盡型NMOS管的源極、漏極、襯底接在一個大于0的電壓上，在不增加電路面積的前提下，大大減少了耗盡型NMOS管的柵極漏電流，提高了VCO控制電壓的穩定性，從而較少了PLL電路鎖定工作時的抖動。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京中星微電子有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100083北京市海淀區學院路35號世寧大廈15層 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610168302.5 【申請日】2006-12-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1976233A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100589326C 【授權公告日】2010-02-10 【授權公告年份】2010.0 【發明人】張家川; 趙綱; 程寶洪 【主權項內容】1、一種環路低通濾波器，包括：電阻、第一NMOS管、第二NMOS管， 其特征在于，還包括：電平移位器，且所述第一NMOS管和第二NMOS管為 薄柵耗盡型MOS管，其中： 第一NMOS管、第二NMOS管的源極、漏極和襯底都與電平移位器的輸 出端相接； 電平移位器，用于輸出大于0的電壓信號。 【當前權利人】無錫中星微電子有限公司 【當前專利權人地址】江蘇省無錫市新區太湖國際科技園清源路530大廈A區10層 【專利權人類型】有限責任公司(外國法人獨資) 【統一社會信用代碼】911101087002349407 【家族被引證次數】TRUE
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