【專利類型】外觀設計【申請人】捷聯電子股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】中國臺灣臺北縣【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630024556.0【申請日】2006-04-12【申請年份】2006【公開公告號】
【摘要】 本實用新型公開了屬于大功率電力半導體器件領域的一種低電感門控晶閘管及其功率半導體組件。該低電感門控晶閘管是一種大功率電力半導體器件，在一個呈圓形的外殼中放置了一個半導體芯片，半導體芯片引出的門極引線和陰極相互靠近，且位于外殼的同一側，門極引線不凸出于外殼；門極引線加工成階梯狀，有一個與陰極輔助臺面處于同一平面的門極引線安裝面。該低電感門控晶閘管通過陰極輔助臺面、門極引線安裝面安裝在印制電路板上組成低電感門控晶閘管功率半導體組件。由于陰極和門極引線無需伸出外殼以外，因此，生產加工變得十分簡單。整個功率半導體組件中的門陰極電流通路完全連續，從而實現更低的電感，可以保證最佳的半導體器件開關性能。 【專利類型】實用新型 【申請人】北京交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100044北京市西直門外上園村3號北京交通大學科技處 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200620167674.1 【申請日】2006-12-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200997400Y 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200997400Y 【授權公告日】2007-12-26 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L29/744; H05K1/18; H01L29/66 【發明人】童亦斌; 張嬋 【主權項內容】1.一種低電感門控晶閘管，所述低電感門控晶閘管具有一個陽極、一個陰極 和門極引線；其特征在于，低電感門控晶閘管(1)的外殼(2)呈圓形，在外殼 ( 2)中放置一個半導體芯片(3)；半導體芯片(3)引出門極引線(6)，并和陰 極(5)相互靠近，且位于外殼(2)的同一側，門極引線(6)和陰極(5)都不 凸出于外殼(2)。。 【當前權利人】北京交通大學 【當前專利權人地址】北京市西直門外上園村3號北京交通大學科技處 【統一社會信用代碼】1210000040088209X1 【引證次數】2.0 【被引證次數】2 【他引次數】2.0 【被自引次數】1.0 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】2
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776293940.html
喜歡就贊一下
