【摘要】本實用新型涉及一種制冷機組結構，主要由高壓級壓縮機、高壓級油分離器、節流閥、冷凝器、油冷卻器、膨脹閥、蒸發器、低壓級壓縮機、低壓級油分離器、中冷板換、中冷罐組成。本實用新型是一種既可以通過雙級壓縮獲得較低的蒸發溫度，又充分發揮了并聯
【摘要】 一種具有超薄碳化硅中間層的硅基可協變襯底，其特征在于，包括如下幾部分：一硅襯底，該硅襯底起支撐的作用；一超薄3C－SiC中間層，該超薄3C－SiC中間層制備在硅襯底上，起失配應變協調的作用，并與硅襯底一起構成硅基可協變襯底；一外延層，該外延層制備在超薄3C－SiC中間層上，并與底部硅襯底有較大晶格失配。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003071.2 【申請日】2006-02-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017864A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L31/0248; H01L31/18; H01L29/02; H01L21/20 【發明人】楊少延; 楊霏; 李成明; 范海波; 陳涌海; 劉志凱; 王占國 【主權項內容】1.一種具有超薄碳化硅中間層的硅基可協變襯底，其特 征在于，包括如下幾部分： 一硅襯底，該硅襯底起支撐的作用； 一超薄3C-SiC中間層，該超薄3C-SiC中間層制備在硅 襯底上，起失配應變協調的作用，并與硅襯底一起構成硅基可 協變襯底； 一外延層，該外延層制備在超薄3C-SiC中間層上，并與 底部硅襯底有較大晶格失配。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】9 【被他引次數】9.0 【家族被引證次數】9
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