【摘要】本實用新型公開了一種戊二醛熏蒸消毒滅菌柜， 它包括：柜體、柜體內消毒室及密封柜門、柜體內的進排氣室； 在柜體內的消毒室中，根據空間需要設置一個或一個以上內 箱，在該內箱中的底部設置有藥皿及加熱系統，有若干層托盤 固定于內箱中；有一個
【摘要】 一種采用襯底表面粗化技術的倒裝結構發光二極管制作方法，包括如下步驟：在襯底上依次外延生長氮化鎵N型接觸層、多量子阱有源區和氮化鎵P型接觸層；刻蝕露出氮化鎵N型接觸層；制作N接觸電極；制作高反射P接觸電極；在芯片表面沉積介質膜；在器件的整個表面蒸鍍高反射率金屬層；將襯底減薄；在襯底表面制作微透鏡陣列；解理，形成單個芯片；在該支撐體上沉積介質膜，并制作N電極、P電極引線；在電極引線上制作壓焊點；采用倒裝焊技術將解理好的芯片與制作完電極、壓焊點后的支撐體鍵合，完成發光二極管的制作。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610058414.5 【申請日】2006-03-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101043059A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00 【發明人】王良臣; 伊曉燕; 劉志強 【主權項內容】1.一種采用襯底表面粗化技術的倒裝結構發光二極管 制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 1)利用金屬化學有機氣相沉積的方法在襯底上依次外 延生長氮化鎵N型接觸層、多量子阱有源區和氮化鎵P型接 觸層； 2)采用感應耦合等離子體技術或電子回旋共振技術或 反應離子刻蝕技術或干法刻蝕技術刻蝕掉部分多量子阱有源 區和氮化鎵P型接觸層，露出氮化鎵N型接觸層，形成臺面； 3)在露出的氮化鎵N型接觸層上采用熱蒸發或電子束 蒸發技術制作N接觸電極； 4)在氮化鎵P型接觸層上采用熱蒸發或電子束蒸發技 術制作高反射P接觸電極； 5)采用等離子增強化學氣相沉積系統在芯片表面沉積 介質膜，進行表面鈍化及器件保護； 6)將P接觸電極與N接觸電極上的部分區域的介質膜 去除，并在器件的整個表面蒸鍍高反射率金屬層； 7)將襯底減薄，并進行表面拋光； 8)采用濕法或干法刻蝕技術在襯底表面制作微透鏡陣 列； 9)將制作完成的器件解理，形成單個芯片； 10)選用高熱導率材料作為發光二極管芯片支撐體， 并在該支撐體上沉積介質膜，將支撐體上一側的介質膜腐蝕 掉，并在該區域制作N電極引線，在支撐體上的另一側的介 質膜上制作P電極引線； 11)采用電鍍、植球技術在支撐體上的N電極引線和 P電極引線上制作壓焊點； 12)采用倒裝焊技術將解理好的芯片與制作完電極、 壓焊點后的支撐體鍵合，完成發光二極管的制作。。： 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】20 【被自引次數】1.0 【被他引次數】19.0 【家族被引證次數】20
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