【摘要】本發(fā)明提供一種電調(diào)制改變異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜樣品電阻的實現(xiàn)方法，即將導(dǎo)電電阻薄膜設(shè)置在低電阻的半導(dǎo)體襯底上，通過施加并調(diào)制垂直于半導(dǎo)體和導(dǎo)電電阻薄膜之間界面的電壓，改變導(dǎo)電電阻薄膜的水平方向電阻值。本發(fā)明還提供一種電調(diào)制改變電阻的器件，包括
【摘要】 公開了一種探測器陣列，包括：探測穿透被檢物體的第一多個部分第一射線和第二射線的第一線陣探測器，其中第二射線和第一射線是交替發(fā)射的；以及與所述第一線陣探測器平行設(shè)置、探測穿透所述被檢物體的第二多個部分的 第一射線和第二射線的第二線陣探測器，其中所述第一多個部分和第二多個部分部分相同。利用所述探測器陣列，能夠提高交替雙能射線對被檢物體的掃描檢查效率和材料識別正確率。 【專利類型】實用新型 【申請人】清華大學(xué); 清華同方威視技術(shù)股份有限公司 【申請人類型】企業(yè),學(xué)校 【申請人地址】100084北京市海淀區(qū)清華大學(xué) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620022987.8 【申請日】2006-05-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200947086Y 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN200947086Y 【授權(quán)公告日】2007-09-12 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】G01N23/04; G01N23/083; G01N23/02 【發(fā)明人】王學(xué)武; 陳志強(qiáng); 李元景; 鐘華強(qiáng); 張清軍; 趙書清 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種探測器陣列，其特征在于，包括： 探測穿透被檢物體的第一多個部分的第一射線和第二射線的第 一線陣探測器，其中第二射線和第一射線是交替發(fā)射的；以及 與所述第一線陣探測器平行設(shè)置、探測穿透所述被檢物體的第二 多個部分的第一射線和第二射線的第二線陣探測器，其中所述第一多 個部分和第二多個部分部分相同。 【當(dāng)前權(quán)利人】清華大學(xué); 同方威視技術(shù)股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華園; 北京市海淀區(qū)雙清路同方大廈A座2層 【專利權(quán)人類型】公立; 股份有限公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400000624D; 【引證次數(shù)】8.0 【被引證次數(shù)】2 【他引次數(shù)】8.0 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】8.0 【家族被引證次數(shù)】2
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