【摘要】本發明提供了一種基于MgB2薄膜材料制作的探測器，包括：一基底，在基底上生長一層MgB2膜，其中MgB2膜厚度在10納米～10微米；電極設置在MgB2膜兩端，第一電極引線和第二電極引線連接在電極上，并且在兩個電極引線之間串聯一電阻，
【摘要】 一種多小區系統中避免小區間干擾的方法，在發送端，包括步驟：在每個小區對應的M*N條子載波位置，傳送N個數據符號；對N個數據符號依次復制M遍，形成一個新的N*M個符號的序列；對新形成的N*M個符號進行線性相位旋轉。通過本發明的方法，可以實現各小區信號的分離，基本消除了小區信號之間的相互干擾，為高階調制的應用，簡化的功率控制等技術創造了良好的基礎。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京三星通信技術研究有限公司; 三星電子株式會社 【申請人類型】企業 【申請人地址】100081北京市海淀區中關村大街9號理工科技大廈4層 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610065729.2 【申請日】2006-03-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101039296A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H04L27/26 【發明人】仲川; 梁宗闖; 王海; 吳昌潤; 洪性權; 樸東植 【主權項內容】1.一種多小區系統中避免小區間干擾的方法，在發送端，包括步驟： 在每個小區對應的M*N條子載波位置，傳送N個數據符號； 對N個數據符號依次復制M遍，形成一個新的N*M個符號的序列； 對新形成的N*M個符號進行線性相位旋轉。 【當前權利人】北京三星通信技術研究有限公司; 三星電子株式會社 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村大街9號理工科技大廈4層; 韓國京畿道水原市靈通區三星路129號 【專利權人類型】有限責任公司(外國法人獨資) 【統一社會信用代碼】91110105717749211A
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