【摘要】本發(fā)明涉及芯片存儲(chǔ)器的安全讀寫的方法，具體來(lái)說(shuō)是閃存的一種安全寫入方法。本發(fā)明將每個(gè)最小擦寫單元作為一個(gè)邏輯塊，每個(gè)邏輯塊中包含一個(gè)或者多個(gè)邏輯頁(yè)，通過(guò)并給每一個(gè)邏輯塊編號(hào)，將要寫入的數(shù)據(jù)和目標(biāo)邏輯塊中的內(nèi)容都寫入備份邏輯塊，并將備
【摘要】 本發(fā)明公開屬于功能梯度復(fù)合材料加工領(lǐng)域的 涉及金屬材料和陶瓷材料對(duì)稱梯度復(fù)合材料的制備方法。該方 法主要包括三個(gè)部分：(1)利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)氮化鋁 陶瓷的較低溫度燒結(jié)；(2)利用兩步法，先制備氮化鋁對(duì)稱氣孔 梯度材料，然后在低溫下將金屬銅滲入外層多孔氮化鋁層的氣 孔中，達(dá)到結(jié)合的目的。(3)在制備氮化鋁氣孔梯度材料之前， 在粗粉氮化鋁粉末中加入適量的金屬銅粉末，改善其表面性 能。本發(fā)明結(jié)合了放電等離子燒結(jié)和分步燒結(jié)的方法，解決了 金屬銅和氮化鋁陶瓷之間的結(jié)合困難問(wèn)題，也實(shí)現(xiàn)了高溫差、 高不相容性梯度復(fù)合材料的制備。該材料在厚度方向具有絕緣 和導(dǎo)熱性，在面內(nèi)的導(dǎo)電性良好，適用于熱電器件的電極材料 的要求。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】清華大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】100084北京市北京100084－82信箱 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610089765.2 【申請(qǐng)日】2006-07-14 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1916201A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100469917C 【授權(quán)公告日】2009-03-18 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】C22C1/05; H01B1/00; B32B15/00 【發(fā)明人】李敬鋒; 張懷全 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種金屬材料和陶瓷材料對(duì)稱梯度復(fù)合材料的制備方法，其特征在于： 以金屬陶瓷功能梯度復(fù)合材料銅/氮化鋁/銅的制備方法為例，采用放電等離子 燒結(jié)工藝，先制備多層氮化鋁陶瓷的對(duì)稱氣孔梯度材料，在燒結(jié)前，還需在制 備氮化鋁陶瓷的對(duì)稱氣孔梯度材料的過(guò)程中，在粗粉氮化鋁中，加入占粗粉氮 化鋁質(zhì)量百分比的2～10％的銅粉進(jìn)行燒結(jié)；然后在制備的氮化鋁陶瓷的對(duì)稱氣 孔梯度材料的上下表面添加銅粉層，實(shí)現(xiàn)兩步法較低溫度燒結(jié)將金屬銅滲入其 外層的多孔氮化鋁層的氣孔中的工藝，達(dá)到層狀與梯度復(fù)合的目的。 【當(dāng)前權(quán)利人】清華大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市北京100084-82信箱 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數(shù)】11 【被他引次數(shù)】11.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】11
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