【摘要】一種低巷道錨桿錨索氣動鉆機，涉及鉆孔設備， 在立架(3)的氣缸連接板(14)上固定支撐氣缸(1)；立架(3)上開口 相對的立架槽鋼(20)的槽內放置和滾輪架(6)連接的滾輪(17)， 裝有鉆桿(13)和鉆頭(11)的鉆孔旋轉裝置(5
【摘要】 一種半導體納米結構，包括：一襯底作為半導體器件的承載體；一半導體緩沖層，通過外延生長技術形成在襯底上，起到緩沖襯底和其他層之間應力的作用；一半導體模板層，通過外延生長技術形成在半導體緩沖層上，作為支撐模板；一鈍化層，通過表面鈍化形成在半導體模板層上，起到提高吸附原子在表面遷移勢壘的作用；一半導體誘導層，制作在鈍化層上，起到促進半導體納米島形成的作用；一半導體納米島層，制作在半導體誘導層上，作為光電子器件的活性層；一半導體蓋帽層，制作在半導體納米島層上，起到保護半導體納米島層，或者提供載流子的作用。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003180.4 【申請日】2006-02-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026203A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L31/08; H01L31/18; H01L33/04 【發明人】陳振 【主權項內容】1.一種半導體納米結構，其特征在于，該結構包括： 一襯底，作為半導體器件的承載體； 一半導體緩沖層，該半導體緩沖層通過外延生長技術形成 在襯底上，起到緩沖襯底和其他層之間應力的作用； 一半導體模板層，該半導體模板層通過外延生長技術形成 在半導體緩沖層上，作為支撐模板； 一鈍化層，該鈍化層通過表面鈍化形成在半導體模板層 上，起到提高吸附原子在表面遷移勢壘的作用； 一半導體誘導層，該半導體誘導層制作在鈍化層上，起到 促進半導體納米島形成的作用； 一半導體納米島層，該半導體納米島層制作在半導體誘導 層上，作為光電子器件的活性層； 一半導體蓋帽層，該半導體蓋帽層制作在半導體納米島層 上，起到保護半導體納米島層，或者提供載流子的作用。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族被引證次數】3
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