【摘要】本發(fā)明屬于金屬熱處理工藝領(lǐng)域，特別適用于防彈頭盔用深沖鋼板的球化退火處理工藝。該工藝的具體步驟如下：首先在Ac1以下10-50℃范圍內(nèi)進(jìn)行保溫2-10小時(shí)，保溫溫度為650-690℃；然后在Ac1與Ac3范圍內(nèi)保溫2-10小時(shí)，保溫
【摘要】 本發(fā)明公開了一種納米級庫侖島結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：A.在襯底的導(dǎo)電層上涂敷電子抗蝕劑；B.對涂敷的電子抗蝕劑進(jìn)行前烘；C.對電子抗蝕劑進(jìn)行電子束直寫曝光；D.對曝光后的抗蝕劑進(jìn)行顯影；E.對顯影后的電子抗蝕劑進(jìn)行定影；F.將定影后的電子抗蝕劑作為掩模刻蝕導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上得到納米級的庫侖島結(jié)構(gòu)；G.對得到的庫侖島結(jié)構(gòu)進(jìn)行去膠和高溫干氧氧化處理，得到更小尺寸的納米級庫侖島結(jié)構(gòu)。利用本發(fā)明，簡化了制備工藝，降低了制備成本，提高了制備效率，并提高了制備庫侖島結(jié)構(gòu)的可靠性。本發(fā)明提供的制備方法具有與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)，有利于本發(fā)明的廣泛推廣和應(yīng)用。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610012129.X 【申請日】2006-06-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101086966A 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100466204C 【授權(quán)公告日】2009-03-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/335; G03F7/00 【發(fā)明人】龍世兵; 陳杰智; 李志剛; 劉明; 陳寶欽 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種納米級庫侖島結(jié)構(gòu)的制備方法，所述庫侖島結(jié)構(gòu)至少包括庫 侖島、位于庫侖島兩側(cè)的源極和漏極、連接庫侖島與源極的隧道結(jié)和連接 庫侖島與漏極的隧道結(jié)，其特征在于，該方法包括： A、在襯底的導(dǎo)電層上涂敷電子抗蝕劑； B、對涂敷的電子抗蝕劑進(jìn)行前烘； C、對電子抗蝕劑進(jìn)行電子束直寫曝光； D、對曝光后的抗蝕劑進(jìn)行顯影； E、對顯影后的電子抗蝕劑進(jìn)行定影； F、將定影后的電子抗蝕劑作為掩模刻蝕導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上得到納 米級的庫侖島結(jié)構(gòu)； G、對得到的庫侖島結(jié)構(gòu)進(jìn)行去膠和高溫干氧氧化處理，得到更小尺 寸的納米級庫侖島結(jié)構(gòu)。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院微電子研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400834434U 【引證次數(shù)】7.0 【被引證次數(shù)】8 【自引次數(shù)】3.0 【他引次數(shù)】4.0 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】10.0 【家族被引證次數(shù)】8
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